C3M0065090J扩展了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装方面的领先地位，具有宽漏极和源极之间的爬电距离和间隙距离 (~8mm)。充分利用最新 MOSFET 芯片的高频能力，同时提供适用于高污染环境的额外电气隔离。独立的 Kelvin 源极引脚降低了电感；可将开关损耗降低多达 30%。设计人员可以通过从基于硅的转变来减少组件数量；改进的开关性能使三级拓扑变为更简单的两级拓扑成为可能
好处
• 降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
• 更高的系统效率
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率
特征
• 新的 C3M SiC MOSFET 技术
• 带有驱动源引脚的新型低阻抗封装
• 高阻断电压和低导通电阻
• 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
• 低输出电容 (60pF)
• 无卤素，符合 RoHS 标准
• 漏极和源极之间的爬电距离宽 (~7mm)
应用
• 再生能源
• 电动汽车电池充电器
• 高压 DC/DC 转换器
• 开关模式电源
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