GTRA263902FC-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

型号: GTRA263902FC-V2

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描述
GTRA263902FC是一个370瓦(P3dB) GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT),用于多标准蜂窝功率放大器应用。它的特点是输入匹配,高效率,热增强包与无耳法兰。

GTRA263902FC-V2

 

特性
GaN on SiC HEMT技术
典型脉冲连续波性能,2690 MHz, 48 V,
合并后的输出
输出功率为P3dB = 370 W
效率= 70%
增益= 15 dB
能够处理10:1 VSWR @48 V, 56 W (CW)
人体模型1A类(每ANSI/ESDA/电平js - 001)
低的热阻
无铅,符合RoHS要求

 

应用
蜂窝功率放大器

 

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