芯朋微电子ID7S625 600V高压半桥驱动芯片
一、概述
ID7S625半桥驱动芯片是一款基于P衬底、 P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，具有独立的高低侧输出通道。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动一个N
沟道功率.MOSFE或IGBT半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3V。具有大电流输出能力。ID7S625半桥驱动芯片内置的延时匹配功能可以为更好的
适配高频应用。
二、特性
高侧浮动偏移电压600V
输入逻辑兼容3.3V/5V/15V
自举工作的浮地通道
芯片工作电压范围10V~ 20V
所有通道均具有欠压保护功能(UVLO)
输出电流能力2.5A
所有通道均有延时匹配功能
三、应用领域
DC/DC转换器
功率MOSFET和IGBT驱动
DC/AC转换器’
四、封装订购信息
五、典型应用
