中图仪器WD4000晶圆硅片表面3D量测系统采用光学白光干涉技术、精密 Z 向扫描模块和高精度 3D 重建算法，Z 向分辨率最高可到 0. 1nm。它通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。
1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；
2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；
3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；
4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。
WD4000晶圆硅片表面3D量测系统广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。
产品优势
1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量
WD4000晶圆硅片表面3D量测系统集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。
2、高精度厚度测量技术
（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。
（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。
（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。
3、高精度三维形貌测量技术
（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；
（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。
（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。
4、大行程高速龙门结构平台
（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。
（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。
（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。
5、操作简单、轻松无忧
（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。
（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。
（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。
测量功能
1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；
2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。
3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。
4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。
应用场景
1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量
通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。
2、无图晶圆粗糙度测量
Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。
部分技术规格
| 品牌 | CHOTEST中图仪器 |
| 型号 | WD4000系列 |
| 测量参数 | 厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等 |
| 可测材料 | 砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等 |
厚度和翘曲度测量系统 | |
可测材料 | 砷化镓 ;氮化镓 ;磷化 镓;锗;磷化铟;铌酸锂;蓝宝石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
测量范围 | 150μm~2000μm |
扫描方式 | Fullmap面扫、米字、自由多点 |
测量参数 | 厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度 |
三维显微形貌测量系统 | |
测量原理 | 白光干涉 |
干涉物镜 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个) |
可测样品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重复性 | 0.005nm |
测量参数 | 显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数 |
膜厚测量系统 | |
测量范围 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可测厚度 | 0.4um |
红外干涉测量系统 | |
光源 | SLED |
测量范围 | 37-1850um |
晶圆尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圆载台 | 防静电镂空真空吸盘载台 |
X/Y/Z工作台行程 | 400mm/400mm/75mm |
恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。、