PN8580SEC-R1H 产品特征
内置650V高雪崩能力功率MOSFET
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
无需额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)
骊微电子供应PN8580SEC-R1H芯片， 提供PN8580SEC-R1H 12-15W充电器/适配器芯片方案详细参数、规格书等，是芯朋微一级代理商，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>