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超高真空环境的特征为其真空压力低于 10-8 至 10-12托, 超高真空环境对于科学研究非常重要, 因实验通常要求在整个过程中, 表面应保持无污染状态并可使用较低能量的电子和离子的实验技术使用, 而不会受到气相散射的干扰并可以在这样超高真空环境下使用溅镀系统以提供高质量的薄膜.
上海伯东代理超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池,科研等行业, 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
上海伯东超高真空磁控溅镀设备配置和优点
客制化基板尺寸, 最大直径可达12寸晶圆
薄膜均匀度小于±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
具有顺序操作或共沉积的多个溅镀源
射频, 直流或脉冲直流, 分别用于非导电与导电靶材
精准流量控制器 (最多4条气体管线)
基板可加热到 1000°C
基材到靶材之间距为可调节的
每个溅镀源和基板均安装遮板
 | 上海伯东代理超高真空磁控溅镀设备针对超高真空和高温加热设计的基板旋转镀膜机构, 使用陶瓷培林旋转, 并在内部做水冷, 来保护机构以确保长时间运转的稳定. |  |
磁控溅镀设备基本参数
| 系统类型 | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 | 紧凑型高真空 |
| 极限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr | 5X10-7 Torr |
| 腔室密封 | 全部 CF(烘烤) | 一些密封圈(烘烤) | 全部密封圈 | 全部密封圈 |
| 电子枪 | 3-4, 2-3 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-3 英寸 |
| 电源 | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF |
| Load-lock | 标准(HV) | 标准(HV) | 标准(HV)/可选 | 标准(HV)/可选 |
| 基板 | 4-6 英寸 加热至 800°C或水冷 | 4-8 英寸 加热至 800°C或水冷 | 4-8 英寸 加热至 800°C | 4-6 英寸 加热至 800°C |
| 真空泵 | 低温泵 | 低温泵 / 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 |
| 监控 | 真空规和Baratron | 真空规和Baratron | 真空规和Baratron | 真空规和Baratron |
| 工艺控制 | 部分 / 3位 /手动闸阀 | 部分 / 3位 /手动闸阀 | 部分 / 3位 /手动闸阀 | 部分 / 3位 /手动闸阀 |
| 气体 | 氩气, 氮气, 氧气(load-lock可选) | 氩气, 氮气, 氧气(load-lock可选) | 氩气, 氮气, 氧气 | 氩气, 氮气, 氧气 |
| 射频偏压清洁 | 300W RF(清洁和蚀刻) | 300W RF(清洁和蚀刻) | 可选 | 可选 |
| 离子源 | 100 KRi 离子源 | 100 KRi 离子源 | 可选 | 可选 |
| 薄膜 | 钛氮化铌NbTiN, 铌 Nb, 钯Pd等 | 钛氮化铌NbTiN, 铌 Nb, 钯Pd等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化铝Al2O3 等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化铝Al2O3 等 |
腔体
客制化的腔体尺寸取决于基板尺寸和其应用
腔体为使用金属密封圈并可烘烤至 150 oC
具有显示功能的全量程真空计和用于压力控制的 Baratron 真空计
腔体的极限真空度约10-10 Torr
选件
可以与传送腔, 机械手臂和手套箱整合在一起
结合离子源, 热蒸发源, 电子束...
基板可用射频或直流偏压
膜厚监测仪
射频等离子清洁用于基材
OES, RGA 或制程监控的额外备用端口
应用领域
半导体类, 纳米科技
产品质量控制和质量检查
氧化物, 氮化物和金属材料的研究
太阳能电池
光学研究, 材料研究
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