| VDS (Max) (V) | 600 |
| RDS (on) (Milliohm) | 50 |
| ID (Max) (A) | 44 |
| Rating | Catalog |
LMG342xR050 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。
LMG342xR050 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。 LMG3425R050 包含理想二极管模式，该模式通过启用自适应死区时间控制功能来降低第三象限损耗。
高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告，这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。