| VDS (Max) (V) | 650 |
| RDS (on) (Milliohm) | 30 |
| ID (Max) (A) | 55 |
| Rating | Automotive |
LMG352xR030-Q1 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。
LMG352xR030-Q1 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与我们的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。其他特性（包括用于 EMI 控制的可调栅极驱动强度、过热保护、稳健过流保护和故障指示）可提供优化的 BOM 成本、布板尺寸和外形尺寸。
高级电源管理功能包括数字温度报告和 TI 的理想二极管模式。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出报告，这使系统能够以理想方式管理负载。理想二极管模式通过启用自适应死区时间控制来降低第三象限损耗，从而更大限度地提高效率。