| VDS (Max) (V) | 600 |
| RDS (on) (Milliohm) | 50 |
| ID (Max) (A) | 12 |
| Rating | Catalog |
- TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
- 支持高密度电源转换设计
- 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
- 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
- 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
- 数字故障状态输出信号
- 仅需 +12V 非稳压电源
- 集成栅极驱动器
- 零共源电感
- 20ns 传播延迟，确保 MHz 级工作频率
- 工艺经过调整的栅极偏置电压，确保可靠性
- 25V/ns 至 100V/ns 的用户可调节压摆率
- 强大的保护
- 无需外部保护组件
- 过流保护，响应时间低于 100ns
- 压摆率抗扰性高于 150V/ns
- 瞬态过压抗扰度
- 过热保护
- 针对所有电源轨的 UVLO 保护
- 强大的保护
- LMG3410R050：锁存过流保护
- LMG3411R050：逐周期过流保护
LMG341xR050 GaN 功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。
LMG341xR050 通过集成一系列独一无二的 特性 提供了传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关（Vds 振铃几乎为零），低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。