产品简介
DIODES 的ZX5T1951GQ这种双极结型晶体管（BJT）设计用于满足汽车应用的严格要求。
产品规格
品牌 DIODES
型号 ZX5T1951GQ
名称 60V PNP 中功率 晶体管
产地 台湾
封装 SOT223
产品参数
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity PNP
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 6
ICM (A) 15
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 100
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 130
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/200
fT (MHz) 120
RCE(sat) (mΩ) 40
主要特征
BVCEO > -60V
IC = -6A 连续集电极电流
低饱和电压 VCE(sat) < -95mV @ -1A
RCE(sat) = 40mΩ，可实现低等效导通电阻
hFE 指定高达 -10A，可实现高电流增益保持
相关型号
FZT855Q
MJD2873Q
MJD31CHQ
MJD31CUQ
MJD32CQ
MJD32CUQ
MJD41CQ
MJD42CQ
MMBT5551Q
MMBTH10Q
MMDT2222VQ
MMDT2227Q
MMDT3904Q
MMDT3906Q
MMDT3946Q
MMDT4401Q
MMDT5401Q
MMDT5451Q
MMST3904Q
MMSTA06Q
MMSTA56Q
ZX5T1951GQ
ZX5T851GQ
ZX5T951GQ
ZXT10P20DE6Q
ZXT951KQ
FES1DEQ
FES2DEQ
FRS1MEQ
MURS160Q
RS1JDFQ
RS1MDFQ
RS1MEWFQ
RS1MSWFMQ
US1DWFQ
US1JDFQ
US1MDFQ
US2JDFQ
ZXGD3003E6Q
ZXGD3004E6Q
ZXGD3006E6Q