产品简介
DIODES 的ZX5T851GQ这种双极结型晶体管（BJT）设计用于满足汽车应用的严格要求。
产品规格
品牌 DIODES
型号 ZX5T851GQ
名称 60V NPN中功率低饱和晶体管
产地 台湾
封装 SOT223
产品参数
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 6
ICM (A) 20
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 55
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 135
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 35
主要特征
BVCEO > 60V
IC = 6A 高连续集电极电流
ICM = 20A 峰值脉冲电流
低饱和电压 VCE(sat) < 60mV @ 1A
RSAT = 35mΩ，可实现低等效导通电阻
hFE 指定高达 10A，可实现高增益保持
互补 PNP 类型：ZX5T951GQ
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