产品简介
DIODES 的DGD0280WTQ这款高速低侧 MOSFET 和 IGBT 驱动器能够驱动 1.9A 的峰值电流。DGD280WTQ 逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平（低至 3.3V）兼容，可轻松与 MCU 连接。当V CC 低于工作范围时，内部欠压锁定 (UVLO) 通过关闭输出来保护 MOSFET，防止电源丢失。快速且匹配良好的传播延迟可实现高速运行，从而使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的电源开关设计。
DGD0280WTQ 具有集成 LDO，可输出 3.3V、±1% 容差，并能够提供 15mA 电流。DGD0280 提供非反相输出。DGD0280WTQ 采用节省空间的 TSOT25 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DGD0280WTQ
名称 3.3V LDO 的高速 低侧栅极 驱动器
产地 台湾
封装 TSOT25
产品参数
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Driver Type Single
Configuration Non-Inverting & LDO
Supply Voltage Max (V) 18
Output Current Io+ Typ (mA) 2500
Output Current Io- Typ (mA) 2800
ton / toff Typ (ns) 35/30
tr / tf Typ (ns) 20/15
主要特征
用于驱动 MOSFET 和 IGBT 的高效低成本解决方案
集成 LDO（3.3V、15mA 输出）
25°C 时精度为 1% 的 3V LDO
宽电源电压工作范围：4.5V 至 18V
5A 拉电流/2.8A 灌电流输出能力
Vcc 电源欠压锁定
快速传播延迟（典型值 35ns）
快速上升和下降时间（典型值 20 纳秒）
逻辑输入 (IN) 3.3V 能力
扩展温度范围：-40°C 至 +125°C
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