型号简介
Sumitomo的TC1106是GaAs伪晶高电子迁移率晶体管（PHEMT）芯片具有非常低的噪声系数和高的相关增益。该设备最多可用于50个威廉希尔官方网站
GHz，适用于低噪声应用。所有设备都经过100%直流测试，以确保质量一致。所有焊盘镀金，用于热压或热声波引线接合。
型号规格
厂家 Sumitomo
型号 TC1106
名称 砷化镓HEMT
产地 日本
封装 Chip
型号参数
低噪声系数：NF=0.35 dB典型频率为12 GHz
高相关增益：Ga=14.5 dB，典型频率为12 GHz
LLg=0.15µm，Wg=160µm
全金金属化，实现高可靠性
严密的Vp范围控制
高射频输入功率处理能力
1100%直流测试
相关型号
TC1102P0811
TC1102
TC1101P0912
TC1101P0710
TC1101P070
TC1301VP0811
TC1301P0912
TC1301P0811
TC1301P0710
TC1201V
TC1202
TC1202P0811
TC1201P0710
TC1106
TC1102P0710
TC1101P0811
TC1101
FHX35LG
FHX76X
FHX14LG
FHX13LG