型号简介
Sumitomo的SGC1011-300B-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配X波段雷达波段，提供最佳50欧姆系统中的功率和增益。
型号规格
厂家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型号 SGC1011-300B-R
名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地 日本
封装 IK
型号参数
高输出功率：Psat=55.0dBm（典型值）
高增益：Gp=9.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=37%（典型值）
宽带：9.8至10.5GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆
密封包装
长脉冲操作*
需要降低Vds和/或低外壳温度来保持
Tch低于200摄氏度。详情请联系。
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