总体描述:
CS25N50F A9R硅n通道增强型
VDMOSFET是由平面自对准技术获得的降低导通损耗，提高开关性能
性能和增强雪崩能量。晶体管可用于各种功率开关威廉希尔官方网站
的系统小型化，效率更高。包裹表格是TO-220F，符合RoHS标准。
特点:
快速交换
低导通电阻(Rdson≤0.27Ω)
低栅极电荷(典型数据:64nc)
低反向转移电容(典型:10pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
无卤素
CS25N50FA9R华润微25A500V高压MOS场效应管
型号:
CS25N50FA9R