LTC4359HMS8#WTRPBF

物料型号：LTC4359

器件简介：LTC4359是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动外部N沟道MOSFET，以取代肖特基二极管。它通过控制MOSFET上的正向电压降，确保即使在轻载情况下也能平滑地传输电流，不发生振荡。如果电源故障或短路，快速关闭功能可以最小化反向电流瞬变。LTC4359还提供了一种关闭模式，可以将静态电流降至9μA，适用于负载开关和理想二极管应用。

引脚分配： - GATE：门驱动输出，用于增强N沟道MOSFET。 - IN：电压检测和供电电压。 - OUT：漏极电压检测。 - SOURCE：源极连接。 - SHDN：关闭控制输入。 - VSS：供电电压返回和设备地。

参数特性： - 宽工作电压范围：4V至80V。 - 反向输入保护至-40V。 - 关闭模式下低静态电流：9μA。 - 操作电流低至150μA。 - 无振荡平滑切换。 - 控制单个或背对背N沟道MOSFETs。

功能详解： - LTC4359通过MOSFET控制正向电压降，降低功耗和散热。 - 具有快速关闭功能，以应对电源故障或短路。 - 提供关闭模式以降低功耗。 - 能够在高电流二极管应用中减少功耗和电压损失。 - 具有宽工作电压范围和高温度等级。

应用信息： - 适用于汽车电池保护、冗余电源、电信基础设施、计算机系统/服务器和太阳能系统。

封装信息： - LTC4359提供6引脚DFN、8引脚MSOP和8引脚SO封装。 - 封装类型包括DCB、MS8和S8，具有不同的工作温度范围。