MAX17606AZT+T

物料型号：MAX17606 器件简介：MAX17606是一款针对隔离式反激拓扑结构设计的次级侧同步驱动器和控制器，适用于在不连续导通模式（DCM）或边界导通模式（BCM）下运行的应用。

通过用MOSFET替换次级侧二极管，该器件可以提高效率并简化热管理。

7V的VDRV使其适用于开关逻辑级和标准MOSFET，用于反激同步整流。

36V的输入电压允许其从次级MOSFET的输出电压或整流漏极电压驱动。

可编程的最小导通和关断时间提供了处理与变压器寄生元素相关的环流所需的灵活性。

凭借2A/4A的源/汇电流，MAX17606非常适合驱动具有快速栅极转换时间的低RDS(on)功率MOSFET。

引脚分配： 1. VIN：输入电压。

至少在VIN和GND之间连接2.2µF X7R陶瓷电容以滤除噪声。

2. GND：IC地。

外部MOSFET的源极应Kelvin连接到此引脚。

3. DRN：外部MOSFET的漏极感测引脚。

通过电阻将外部MOSFET的漏极连接到此引脚。

4. GATE：外部nMOSFET栅极驱动输出。

LDO输出和驱动器输入。

5. VDRV：与GND之间至少连接2.2µF的旁路电容，尽可能靠近IC。

6. TOFF：通过在TOFF和GND之间连接电阻来设置可编程的最小关断时间。

参数特性： - 宽输入电压范围：4.5V至36V - 峰值源/汇栅极驱动电流：2A/4A - 适用于DCM和BCM - 低静态电流：320µA（典型值） - 可编程关断阈值和最小关断时间以处理DCM环流 - 热关断保护 功能详解： MAX17606通过感应外部nMOSFET的漏源电压，并在正确的时间打开nMOSFET，模仿理想的二极管整流器。

它使用同步nMOSFET的体二极管正向电压来确定何时驱动GATE引脚高电平以打开nMOSFET。

通过在外部MOSFET的漏极和IC的DRN引脚之间连接一个精确的内部电流源的系列电阻（RDRAIN），用于编程关断阈值。

应用信息： MAX17606适用于高效率隔离式反激转换器。

封装信息：MAX17606AZT+，6引脚超薄SOT-23封装。