UPG2406TK-EVAL-A

PDF文档包含了关于4G RF无线通信领域的产品选择指南，由CEL Semiconductors出版。

文档详细介绍了多种射频(RF)开关集成威廉希尔官方网站 (ICs)、低噪声放大器(LNAs)、低噪声块下变频器(LNBs)、射频功率MOSFETs、硅双极晶体管、以及硅射频集成威廉希尔官方网站 (RFICs)。

每个产品部分都包含了物料型号、器件简介、引脚分配、参数特性、功能详解、应用信息和封装信息。

例如，RF开关ICs部分列出了SPDT（单刀双掷）、SP3T（单刀三掷）和DPDT（双刀双掷）开关，提供了它们的典型电气特性，如最大频率、控制电压、插入损耗、隔离度、输入功率压缩点等。

封装信息包括X3、M2、T5N等不同封装类型。

低噪声放大器(LNAs)部分介绍了用于2至8GHz应用的放大器，列出了它们的噪声系数(NF)、增益(Ga)、输出功率(P1dB)和封装类型。

低噪声块下变频器(LNBs)部分介绍了用于12至20GHz应用的LNBs，提供了噪声系数、增益、工作条件等参数。

射频功率MOSFETs部分提供了不同功率等级的MOSFETs，包括它们的输出功率、线性增益、测试条件和封装描述。

硅双极晶体管部分列出了单晶体管和双晶体管，提供了它们的典型工作频率、噪声系数、增益、电流增益(hFE)、最大集电极电压(VCEO)和最大集电极电流(Ic MAX)等参数。

硅射频集成威廉希尔官方网站 (RFICs)部分介绍了3V和5V硅MMIC放大器、频率上变频器和下变频器，提供了它们的频率范围、电气特性和封装信息。

最后，文档还包含了CEL公司的联系信息和不同封装的尺寸图。