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BZT52C4V3-W6

BZT52C4V3-W6

  • 厂商:

    MDD(辰达半导体)

  • 封装:

    SOD123

  • 描述:

    二极管配置:独立式;稳压值(标称值):4.3V;稳压值(范围):4V~4.6V;精度:-;功率:500mW;

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BZT52C4V3-W6 数据手册
BZT52C4V3-W6
物料型号:BZT52C2V0至BZT52C75

器件简介:这是一系列表面安装的Zener二极管,具有2至75伏的Zener电压和0.5瓦的峰值脉冲功率。

引脚分配:使用SOD-123封装,具有极性符号标记。

参数特性: - 总功率耗散:最大500毫瓦。 - 宽Zener反向电压范围:2.0V至75V。 - 封装适合表面安装设计。 - 容差约为±5%。

功能详解: - 正向电压:IF=10mA时为0.9V。 - 功率耗散:最大500毫瓦。 - 典型热阻:结到环境305℃/W。 - 结温:最大150℃。 - 存储温度范围:-65℃至150℃。

应用信息:文档提供了功率耗散与结温的关系图,以及瞬态热阻抗与脉冲持续时间的关系图。

封装信息: - 封装类型:JEDEC SOD-123塑封体。 - 端子:按照MIL-STD-750标准方法2026镀锡,可焊。 - 重量:0.00056盎司,或0.016克。
BZT52C4V3-W6 价格&库存

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