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BJT/MOS/JFET学习全解析
5.0共60课时1165人已学习
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课程大纲：
1.使用普通二极管实现威廉希尔官方网站 的防反接
2.使用肖特基二极管实现威廉希尔官方网站 的防反接
3.使用PMOS管实现威廉希尔官方网站 的防反接
4.电感性负载驱动如何设计
5.解决电感性负载EMF的方法snubber circuit1:使用二极管
6.解决电感性负载EMF的方法snubber circuit2:使用稳压二极管+二极管
7.解决电感性负载EMF的方法snubber circuit3:使用RC威廉希尔官方网站
8.解决电感性负载EMF的方法snubber circuit4:使用RCD威廉希尔官方网站
9.BJT构建的镜像电流源如何设计
10.MOSFET构建的镜像电流源如何设计
11.JFET构建的镜像电流源如何设计
12.BJT构建的放大威廉希尔官方网站 如何设计
13.MOSFET构建的放大威廉希尔官方网站 如何设计
14.JFET构建的放大威廉希尔官方网站 如何设计
15.MOS/JFET/BJT偏置的问题(直流负载线和交流负载线又是什么)
16.h参数的详细分析解读
17.BJT的内部结构，工作原理，重要参数深度解析
18.MOSFET的内部结构，工作原理，重要参数深度解析
19.JFET的内部结构，工作原理，重要参数深度解析
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P5_第0集_课程开始之前的思考和想要说的话P5_第1集_晶体管应用1_防反接威廉希尔官方网站
_通过普通二极管实现防反接付费P5_第2集_晶体管应用1_防反接威廉希尔官方网站
_通过肖特基二极管实现防反接付费P5_第3集_晶体管应用1_防反接威廉希尔官方网站
_通过PMOS管来实现防反接1付费P5_第4集_晶体管应用1_防反接威廉希尔官方网站
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的优化以及整个防反接威廉希尔官方网站
的总结付费P5_第5集_晶体管应用2_电感性负载驱动_感性负载驱动威廉希尔官方网站
模拟仿真设计分析_part1付费P5_第5集_晶体管应用2_电感性负载驱动_感性负载驱动威廉希尔官方网站
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模拟仿真设计分析_part3付费P5_第6集_晶体管应用2_电感性负载驱动_MOS管驱动DC Motor威廉希尔官方网站
设计与具体实践付费P5_第7集_晶体管应用2_电感性负载驱动_缓冲威廉希尔官方网站
该如何设计1付费P5_第8集_晶体管应用2_电感性负载驱动_缓冲威廉希尔官方网站
该如何设计2付费P5_第9集_晶体管应用2_电感性负载驱动_有无缓冲威廉希尔官方网站
其驱动元器件选型的异同付费P5_第10集_part1_BJT其整个工作原理过程深度解析付费P5_第10集_part2_BJT其整个工作原理过程深度解析付费P5_第10集_part3_BJT其整个工作原理过程深度解析付费P5_第10集_part4_BJT其整个工作原理过程深度解析付费P5_第11集_part1_偏置-->Q点-->BJT的工作模式付费P5_第11集_part2_偏置-->Q点-->BJT的工作模式付费P5_第11集_part3_偏置-->Q点-->BJT的工作模式付费P5_第11集_part4_偏置-->Q点-->BJT的工作模式付费P5_第12集_BJT开关威廉希尔官方网站
的进一步的分析付费P5_第13集_part1_增强型MOSFET其整个工作原理过程深度解析付费P5_第13集_part2_增强型MOSFET其整个工作原理过程深度解析付费P5_第13集_part3_增强型MOSFET其整个工作原理过程深度解析付费P5_第13集_part4_增强型MOSFET其整个工作原理过程深度解析付费P5_第13集_part5_增强型MOSFET其整个工作原理过程深度解析付费P5_第13集_part6_增强型MOSFET其整个工作原理过程深度解析付费P5_第14集_耗尽型MOSFET其整个工作原理过程深度解析付费P5_第15集_part1_MOSFET应用威廉希尔官方网站
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符号来初步学习晶体管_晶体管的两大驱动方式付费P5_第17集_part2_通过威廉希尔官方网站
符号来初步学习晶体管_晶体管的两大驱动方式付费P5_第18集_part1_MOSFET参数总体概述分析以及其他器件一些莫名其妙的参数的分析付费P5_第18集_part2_MOSFET简单回顾_三眼分析法识别晶体管威廉希尔官方网站
符号重点介绍付费P5_第18集_part3_MOSFET极限参数详解1付费P5_第18集_part4_MOSFET极限参数详解2付费P5_第18集_part5_MOSFET雪崩特性相关参数详解1付费P5_第18集_part6_MOSFET雪崩特性相关参数详解1付费P5_第18集_part7_跨导参数来龙去脉详解_对比BJT的h参数_二端子网络分析法付费P5_第18集_part8_MOSFET平台电压过程详解1付费P5_第18集_part9_MOSFET平台电压过程详解2付费P5_第18集_part10_MOSFET安全工作区域_MOSFET应用选型关键说明付费P5_第19集_part1_信号三极管_功率三极管_本集课程重要内容概述付费P5_第19集_part2_BJT,MOS,IGBT,SCR,TRIAC等功率器件对比分析付费P5_第19集_part3_功率三极管内部结构详解以及结合数据手册进行具体分析说明付费P5_第19集_part4_功率三极管不同封装类型_以及中等功率或者高功率三极管其良好散热的3种方式详解付费P5_第19集_part5_三极管关键参数分析详解1(结合多个不同类型的BJT的数据手册进行分析付费P5_第19集_part6_中等功率的三极管FZT1151A参数详解1付费P5_第19集_part7_中等功率的三极管FZT1151A参数详解2付费P5_第19集_part8_中等功率的三极管FZT1151A参数详解3_h参数初步分析付费P5_第19集_part9_各种功率三极管其特性曲线分析_h参数初步分析2付费P5_第19集_part10_电磁阀基本信息详解1(同样结合相应的数据手册进行分析)付费P5_第19集_part11_电磁阀基本信息详解2(同样结合相应的数据手册进行分析)付费P5_第19集_part12_电磁阀驱动威廉希尔官方网站
设计框架性设计详解付费P5_第19集_part13_电磁阀驱动威廉希尔官方网站
细节设计详解付费P5_第19集_part14_BJT选型详解付费
白纪龙
资深工程师
128237学员
白纪龙，上市公司研发团队负责人，飞利浦技术专家
1、擅长领域：复杂硬件体系设计，多核系统设计，以及基于RTOS或者Linux，QT等进行相关底层驱动和应用程序的编写，精通嵌入式常用的滤波算法，数据拟合算法，PID等控制算法并可以对算法做自由的优化。
2、 代表作品：五分类血球仪(ARM+FPGA混合架构)；qPCR仪(A8+3*Cortex-M3内核，以CAN bus构建整个体系；ICP-MS质谱仪(Freescale+FPGA混合架构))；干式荧光免疫分析仪(iMX6+openCV,以PD+图像识别算法进行定量的尿液吸毒分析)
3、从事领域：消费类电子，汽车电子以及医疗电子等多行业，做过版图设计，也流过片。目前致力于物联网技术以及人工智能以及IVD领域医疗器械的研究与实践。
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