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上海韦尔半导体股份有限公司（SH：603501）是全球排名前列的中国半导体设计公司。集团研发中心与业务网络遍布全球，年出货量超过135亿颗。
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器件名：
WNM2046A-3/TR
产品描述：
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
WS72551EA-5/TR
产品描述：
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
WPT2F30-6/TR
产品描述：
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):280mV@800mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj);
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
WNMD2167-6/TR
产品描述：
类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5.7A;功率(Pd):900mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@4.5V,6.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA;
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
WPM2037-6/TR
产品描述：
类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.1A;功率(Pd):800mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):61mΩ@4.5V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
WPT2F42-6/TR
产品描述：
晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
WL2805E28-5/TR
产品描述：
输出类型:-;
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
WD1042E-5/TR
产品描述：
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
WS4612EBB-5/TR
产品描述：
电源开关 2.5V~5.5V SOT23-5
生产厂商：
WILLSEMI
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价格
器件名：
WS726052M-8/TR
产品描述：
高精度运算放大器
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
WL2808E18-5/TR
产品描述：
线性稳压器/LDO 2.5V~5.5V输入 固定 输出1.8V 200mA SOT23-5L
生产厂商：
WILLSEMI
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价格
器件名：
WPM9435-8/TR
产品描述：
MOSFETs SOP8_150MIL P-沟道 VDS=30V ID=5.5A
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
ESDA6V8AV5
产品描述：
ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=6.2V VC=12V IPP=3A Ppp=36W SOT553
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
WAS4735Q-16/TR
产品描述：
模拟开关芯片 4:1高速（-3dB带宽1.2GHz）交换机 2.3V~5.5V QFN16_2.6X1.8MM
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
WPM2083-3/TR
产品描述：
MOSFETs SOT23-3 P-沟道 VDS=20V ID=2.2A
生产厂商：
WILLSEMI
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价格
器件名：
WS3208D56-8/TR
产品描述：
电池管理 DFN6_2X2MM_EP Vi=3V~28V -40℃~+85℃
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
ESD56301D05-2/TR
产品描述：
ESD抑制器/TVS二极管 DFN1610-2L 单向 1通道 VRWM=5V
生产厂商：
WILLSEMI
规格书
替代料
价格
器件名：
ESD73111CZ-2/TR
产品描述：
ESD抑制器/TVS二极管 DWN0603-2 双向 1通道 VRWM=±5V
生产厂商：
WILLSEMI
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价格
器件名：
WL2808E25-5/TR
产品描述：
线性稳压器/LDO 2.5V~5.5V输入 固定 输出2.5V 300mA SOT23-5L
生产厂商：
WILLSEMI
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器件名：
ESD5471Z-2/TR
产品描述：
ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=5.1V VC=12V@IPP=6A DFN0603-2L
生产厂商：
WILLSEMI
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