三星开发新一代“缓存DRAM”：能效提升60%，速度延迟降低50%

2Q23 NAND Flash/DRAM市场营收排名出炉

未来HBM产量将大幅增加

三星计划采用12纳米技术，提升内存模组容量

韩国半导体设备商积极开发新一代HBM加工工具

三星发布容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品

SK海力士开发“最佳性能”HBM3E

美光宣布李新明出任美光中国政府事务负责人

先进的清洗技术如何助力先进节点实现最佳晶圆良率

实现生成式AI的关键半导体技术

SK海力士成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E

SK海力士开发出全球最高规格HBM3E，向英伟达提供样品

新型存储技术不断出现 ULTRARAM占据制高点

预计存储芯片价格第三季度跌幅达5%超预期

三星电子DRAM市场份额创新低 仍是全球第一

三星、SK海力士存储器库存破表 牵动南亚科、华邦、群联等后市

天玑9300完成LPDDR5T性能验证9.6Gbps，下代旗舰手机标准有了

西安紫光国芯新一代多层阵列SeDRAM技术

美光推出CZ120内存扩展模块

上云秘笈：NUC980协同LTE Cat 1模组L610之智能工业网关设计