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侵入保护（阻止）系统（IPS）是新一代的侵入检测系统（IDS），可弥补IDS存在于前摄及假阳性/阴性等性质方面的弱点。IPS能够识别事件的侵入、关联、冲击、方向和适当的分析，然后将合适的信息和命令传送给防火墙、交换机和其它的网络设备以减轻该事件的风险。
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IPT2506-CEH
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IPT2506-CEH - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPS
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IPT2506-CEB
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IPT2506-CEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT2506-BEB
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IPT2506-BEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT2506-BEA
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IPT2506-BEA - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q08-TEB
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IPT20Q08-TEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q08-TEA
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IPT20Q08-TEA - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q08-SEB
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IPT20Q08-SEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q08-SEA
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IPT20Q08-SEA - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q08-CEB
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IPT20Q08-CEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q08-CEA
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IPT20Q08-CEA - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q06-TEB
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IPT20Q06-TEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q06-TEA
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IPT20Q06-TEA - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q06-SEB
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IPT20Q06-SEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q06-SEA
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IPT20Q06-SEA - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q06-CEB
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IPT20Q06-CEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT20Q06-CEA
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IPT20Q06-CEA - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT2008-DEB
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IPT2008-DEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT2008-CEB
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IPT2008-CEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT2008-CEA
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IPT2008-CEA - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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IPT2008-BEB
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IPT2008-BEB - High current density due to double mesa technology - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
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