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MDD
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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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器件名：
SS36
产品描述：
肖特基二极管 VR=60V IF=3A VF=0.70V IR=500uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MDD2310
产品描述：
MOSFETs SOT23-3 Vdss=60V Vgs=±20V Id=3A Pd=350mW
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MDD3400
产品描述：
MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SS510
产品描述：
肖特基二极管 电压:100V 电流:5A SMA(DO-214AC)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SF58G
产品描述：
快/超快恢复二极管 VR=600V IF=5A VF=1.7V IR=10uA trr=35nS
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MBRF10200TCT
产品描述：
肖特基二极管 200V 10A 880mA@5A ITO-220AB
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MDD2305
产品描述：
VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
KBJ1510
产品描述：
桥式整流器/整流桥 VRM=600V，IO=15A，IFSM=240A，VF=1.0V，IR=10uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
ES2J
产品描述：
快/超快恢复二极管 电压:600V 电流:2A SMA(DO-214AC)
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
1SMA4737A
产品描述：
PD=1.0W，IF=10A，VZ=7.5V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
BZT52C3V0S-W2
产品描述：
稳压值(标称值)：
3V
精度：±
5
% 反向电流(Ir)：
5
0uA@1V
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SOD1H3 U3
产品描述：
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
DSK22 K22
产品描述：
20V,2A,VF=0.55V@2A
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
DSK24 K24
产品描述：
40V,2A,VF=0.55V@2A
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
MBRX160
产品描述：
肖特基二极管 VR=60V IF=1A VF=0.72V IR=300uA
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
S8550
产品描述：
PNP IC（集电极最大电流）=-500mA PD（最大功率）=300mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
S9014
产品描述：
NPN IC（集电极最大电流）=100mA PD（最大功率）=200mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
DSK110 K110
产品描述：
100V,1A,VF=0.85V@1A
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
SD05C
产品描述：
Bi PD=350W VRWM=5V VBR=6V VC=18V IPP=17A IR=10uA CJ=200PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
器件名：
ESD5Z15V
产品描述：
Uni PD=120W VRWM=15V VBR=16V VC=30V IPP=4A IR=0.5uA CJ=28PF
生产厂商：
MDD
规格书
替代料
价格
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