相关推荐
评论0
761 19
14.4 SiC薄膜单晶的制备
jf_75936199
516 18
14.3 SiC体单晶的制备_clip002
jf_75936199
416 13
14.3 SiC体单晶的制备_clip001
jf_75936199
365 12
6.2 区熔的原理
jf_75936199 302 17
6.3 区熔硅单晶（上）
jf_75936199
229 16
7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（中）
jf_75936199
208 12
11.6 GaN薄膜单晶的掺杂
jf_75936199
205 11
11.5 GaN薄膜单晶的制备_clip001
jf_75936199
205 11
9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜SOI
jf_75936199
203 11
8.1 直拉硅单晶的掺杂技术（上）
jf_75936199
198 11
11.5 GaN薄膜单晶的制备_clip002
jf_75936199
197 11
6.3 区熔硅单晶（下）
jf_75936199
193 11
8.2 直拉硅单晶的掺杂浓度_clip002
jf_75936199
188 11
7.1 直拉硅单晶
jf_75936199
187 11
8.2 直拉硅单晶的掺杂浓度_clip001
jf_75936199
184 13
13.4 ZnO的单晶的掺杂
jf_75936199
183 11
7.6 直拉硅单晶的加工（下）
jf_75936199
182 13
13.3 ZnO的薄膜单晶的制备
jf_75936199
180 11
7.6 直拉硅单晶的加工（上）
jf_75936199