3G行业新闻
高通(Qualcomm)今日在CES 2017大会上公布了了新一代旗舰处理器Snapdragon 835的更多细节,基本规格方面包括:10nm工艺,采用新一代Kryo 280 CPU(四大四小Big.Little八核心设计),Adreno 540 GPU,并首次集成X16 LTE基带,支持Cat.16下行/Cat.13上行。
基本规格方面,Snapdragon 835启用的Kryo 280核心,Big 4+Little 4总计八核心设计。前者主频提升到2.45GHz,二缓2MB,后者提升到1.9GHz,二缓1MB。按照高通的说法,应用载入、网页浏览、VR等会调用大核,另外80%的时间都是小核在工作。
此外还有,2×2 11ac MU-MIMO;802.11ad Wi-Fi(60GHz);蓝牙5;Hexagon 682 DSP;双通道LP DDR4x-1866MHz;导航支持GPS, GLONASS, 北斗, Galileo,QZSS;单镜3200万像素、双镜1600万像素,Spectra 180 ISP;支持录制4K 30FPS视频和播放4K 60帧视频(HDR 10);WCD9341音频解码,32-bit/384kHz
高通此次将精力主要放在10nm加持下Snapdragon 835的功耗表现上,性能比820提升了27%之多,但是功耗降低了25%(比801降低了50%)
而在续航方面,全新的架构加上三星10nm Finfet工艺,Snapdragon 835较Snapdragon 820有了长足进步。同样在重度使用下,相比Snapdragon 820,Snapdragon 835能够提供额外的2.5小时的使用时间。
此外,Snapdragon 835还带来了最新的快充技术Quick Charge 4.0,比3.0快了20%,充电5分钟可用5小时,并且同时也可以兼容业界type C的快充标准。
在首发终端方面,最大的可能是三星Galaxy S8和小米6。如果没有特别大的意外,小米6肯定是中国厂商中Snapdragon 835的首发平台。
据说,小米6是一款被寄予厚望的旗舰机,高通还参与了小米一起研发,不论新的ID还是基于骁龙835上引入的各种新功能,都十分令人向往。
一个有趣的环节是,高通拿出一个有趣的环节是,高通拿出Snapdragon 835芯片和中国的一角硬币、美分以及Snapdragon820对比,对于内部空间寸土寸金的手机来说,封装面积缩小了35%(相较820)的Snapdragon 835将帮助手机做的更薄或者集成更多功能。
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