Intel：业界最强10纳米制程，简直无敌

　　随着Galaxy S8/S8+的发布，次世代移动平台骁龙835、Exynos8895正式面世，并将10纳米工艺节点推向大规模商用。别急好事多磨——迟到的Intel表示有些不服气了。

　　日前，Intel在旧金山举办了“技术与制造日”活动，主管制造、运营和销售的执行副总裁Stacy Smith重申“摩尔定律不死”。根据Intel的工艺路线图，14纳米之后就是10纳米节点，包括10nm、10nm+、10nm++三个小迭代。接着转向7纳米节点，并且5纳米制程可以期待了。

　　老司机Inte苦口婆心地批评台积电、三星的工艺数字经过“美化”，掩盖了栅极间距、晶体管密度等关键指标，自家14纳米工艺足以匹敌友商最新的10纳米工艺。

　　14纳米FinFET工艺下，三星栅极、鳍的间距为84/78纳米、78纳米，大于Intel的70纳米、64纳米；10FinFET纳米工艺下，三星栅极间距为64纳米，大于Intel的54纳米。

　　而Intel姗姗来迟的10纳米工艺，其晶体管密度将是14纳米的2.7倍，制造成本比友商少30%。

　　“Intel，你家的10纳米制程又迟到了哦。”

　　“我们是业界最好的，管用三年！”