模拟技术
DS1877为SFP控制器,允许通过多种方式配置报警、预警、查找表LUT等功能,这一定制化需求需要一个大容量寄存器。本文介绍了寄存器表,有助于器件配置。
DS1877寄存器
主器件地址是A2h,用于全局变量的配置和发送器1的控制、校准、报警、预警及监控;地址B2h用于控制发送器2。
低端内存,A2h地址范围:00h到7Fh。包括报警和预警门限、标志位、模板、控制寄存器,密码输入区域(PWE)和表格选择字节。
表01h、A2h主要包括用户EEPROM (包含PW1级访问)以及报警、预警使能。
表02h、A2h/B2h为多功能区,包括控制寄存器、增益和偏压设置、密码、中断寄存器以及各种控制字节。所有功能和状态都可以通过A2h或B2h地址进行读写。
表04h、A2h包含以温度为索引的查找表(LUT),用于控制MOD1电压。MOD1 LUT在40°C到+102°C温度范围内,以2°C为步长设置。
表05h、A2h缺省状态为空,用于配置报警、预警的使能位(表01h,寄存器F8h-FFh)和MASK位使能(表02h,寄存器89h)。这种情况下,表01h为空。
表06h、A2h包含以温度为索引的查找表(LUT),用于控制APC1的电压。APC1 LUT在40°C到+102°C温度范围内,以2°C为步长设置。
位于B2h的主器件用于发送器2的控制、校准、报警、预警和监控。
低端内存,B2h地址范围:00h到7Fh,包括报警和预警门限、标志位、屏蔽位和几个控制寄存器、密码输入区(PWE)和表格选择字节。
表01h、B2h包括报警和预警使能位。
表04h、B2h包含一个以温度为索引的查找表(LUT),用于控制MOD2的电压。MOD2 LUT在40°C到+102°C温度范围内,以2°C为步长设置。
表05h、B2h缺省状态为空,用于配置报警、预警的使能位(表01h,寄存器F8h-FFh)和MASK位使能(02h,寄存器89h)。这种情况下,表01h为空。
表06h、B2h包含以温度为索引的查找表(LUT),用于控制APC2的电压。APC2 LUT在40°C到+102°C温度范围内,以2°C为步长设置。
辅助内存(器件地址A0h)包含256字节EEPROM,地址范围:00h到FFh。通过器件地址A0h选取。
以下表格对每位的功能和读/写权限进行了更详细的说明。
EEPROM映射
许多非易失存储器实际上属于EEPROM映射(寄存器索引中列出),受控于表02h,寄存器80h的SEEB位。
DS1877为关键存储器(可能进行多次写操作)提供EEPROM映射,EEPROM映射的控制位为SEEB,默认设置为零,此时这些存储单元表现为常规的EEPROM。SEEB置位后,这些存储单元的功能类似于SRAM,允许无限次数的写操作,而且不会损坏。该功能省去了EEPROM的写入时间tWR。SEEB使能条件下的数据变化不会影响EEPROM,也不会保留到下一个上电周期。上电后的数值为之前SEEB复位状态下最后一次写入EEPROM的数值。该功能可以限制校准过程中EEPROM的操作数量,或减少改变监控门限电压时对EEPROM的写入次数。通过存储器的描述可以看出哪些单元提供EEPROM映射。
DS1877存储器
寄存器索引
下列表格提供简单的寄存器索引,包括低端内存,表00h、表01h和表02h。如需了解每个寄存器位的功能,请参照数据手册中的对应说明。表04h至08h是查找表LUT,不需要单独的索引,未在本节列出。如需了解这部分的详细信息,请参照数据手册的详细描述。
本文使用不同的颜色标注区分A2h和B2h中的不同寄存器。标注方法如下:
注:RSVD为“保留”位。
低端内存
表01h
表02h
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