GaN FET：提供AEC-Q101级耐用性

功率GaN技术已证明可为电源转换带来出色的效率。但对于汽车应用这样的市场，解决方案还需要出色的耐用性，才能确保高质量和可靠性。我们必须证明，Nexperia的GaN技术不但可以在高电压和高温下提供操作耐用性，还能在生产中兼顾质量、可靠性和可扩展性，以便成功地投入大电流、高功率的汽车应用。

Nexperia的GaN FET技术目前专注于650V的高功率应用。包括AC/DC、PFC、OBC和DC/DC转换，覆盖电信、服务器、存储、数据中心和工业市场领域，该技术在这些领域具有高效率水平。但更重要的是，应用还包括汽车电源转换和牵引逆变器，因此器件需要符合AEC-Q1O1耐用性水平。

以下产品参数来自我们的50mΩ/650V器件(GAN063-650WSA)，但其它产品也具有以下的规格。

高可靠性栅极结构(± 20 V)和高阈值电压(4 V)为Vgs瞬态尖峰提供了安全裕量

高Vds瞬态电压规格,可以处理高达800V的开关瞬态尖峰

-55至175°C工作温度范围,使其非常适合恶劣环境

极低的Vf (1.3 V @ 12 A),可实现类似硅Mosfet的反向续流能力,同时Qrr非常低

从上述产品参数可以看出，Nexperia GaN产品具有出色的耐用性。当然，我们仍需通过重要的测试证明该耐用性符合AEC-Q101标准。

确保GaN符合所需标准

汽车市场的一些标准堪称严苛，Nexperia的650V GaN FET已通过AEC-Q101 Rev D级别的认证测试。为了满足这一严格标准，产品需要通过各种测试，包括：高温反向偏压(HTRB)测试、高低温循环测试、栅极偏压测试、偏压和无偏压的湿度测试、Nexperia的高温工作寿命(HTOL)测试。最近的一份白皮书“650 V GaN FET可提供出色效率，以及AEC-Q101认证所需的耐用性”中，Nexperia展示了一些测试结果，清楚地诠释了我们的GaN FET符合甚至超越了当前测试标准。

HTRB测试期间的动态Rdson测量值

强调一点，在50mΩ/650V器件GAN063-650WSA的测试中，通过AEC-Q101 Rev D认证的条件是Rds(on)的偏移不超过20%。图1显示了测试器件的动态RDS(on)的偏移，最大偏移小于15%。

审核编辑：郭婷