奈梅亨,2022年4月27日:基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia,今日宣布其分立式器件系列推出新品,新器件采用无引脚DFN封装,配有侧边可湿焊盘 (SWF)。这些器件坚固耐用,节省
2022-04-27 18:08:534051 Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件
2011-05-13 08:44:56928 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。
2020-04-23 11:05:58799 、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3,这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN3820A封装。这四款新器件为商业、工业和车载应用提供节省空间的高效解决方案,每种产品都有
2023-06-26 15:19:16373 了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ,该器件采用AOS创新型双面散热DFN 5 x 6 封装。客户系统研发人员一直以来把 AOS 产品作为其方案设计的重要组件之一,帮助客户实现各种高性能应用
2024-01-25 15:18:42617 ,智能穿戴,智能锁触摸按键等领域。品牌质量,价格实惠,欢迎来电垂询。 产品概述:TTP233D-SB6是一款采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应电
2019-05-16 15:57:53
广大客户提供产品解决方案及FAE技术支持。产品概述:SP1108是一款超小封装高效率、直流升压稳压威廉希尔官方网站
。输入电压范围可由最低2V到最高24V,升压最高可达28V可调,且内部集成极低RDS内阻100豪欧金属
2018-08-28 16:07:42
广大客户提供产品解决方案及FAE技术支持。产品概述:SP1108是一款超小封装高效率、直流升压稳压威廉希尔官方网站
。输入电压范围可由最低2V到最高24V,升压最高可达28V可调,且内部集成极低RDS内阻100豪欧金属
2018-08-06 18:16:28
广大客户提供产品解决方案及FAE技术支持。产品概述:SP1108是一款超小封装高效率、直流升压稳压威廉希尔官方网站
。输入电压范围可由最低2V到最高24V,升压最高可达28V可调,且内部集成极低RDS内阻100豪欧金属
2018-07-27 09:58:22
广大客户提供产品解决方案及FAE技术支持。产品概述:SP1108是一款超小封装高效率、直流升压稳压威廉希尔官方网站
。输入电压范围可由最低2V到最高24V,升压最高可达28V可调,且内部集成极低RDS内阻100豪欧金属
2020-08-26 16:33:25
产品概述:SP1108是一款超小封装高效率、直流升压稳压威廉希尔官方网站
。输入电压范围可由最低2V到最高24V,升压最高可达28V可调,且内部集成极低RDS内阻100豪欧金属氧化物半导体场效应晶体管
2021-10-26 15:56:58
DFN,QFN代工QQ67217217
2015-07-21 13:41:32
`产品概述:8223LC是一款采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应威廉希尔官方网站
使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代
2018-11-07 16:14:17
`SOD882/DFN1006封装DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封装封装超低电容TVS/ESD保护二极管,应用高速数据通信保护DC0521P15V双向
2020-03-18 10:30:15
产品概述:8323是两款国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应威廉希尔官方网站
使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代
2018-08-31 11:18:27
产品概述:8323是两款国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应威廉希尔官方网站
使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代
2018-08-31 11:14:25
`产品概述:8223LD是一款国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应威廉希尔官方网站
使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片
2019-05-15 09:01:30
产品概述:8323F是两款国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应威廉希尔官方网站
使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为
2021-12-13 16:38:14
凌特公司推出业界第一个采用纤巧 DFN 封装的 1.8V 双路和四路运算放大器 LT6001 和 LT6002。这些微功率器件的每个放大器仅消耗 1.3uA 电流,并具有卓越的性能。在 25oC
2018-11-26 16:18:13
`产品概述:8323是国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应威廉希尔官方网站
使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代
2019-07-23 09:11:37
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件?`
2019-10-25 16:06:28
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58:03
mosfet的TO220封装上的背后的铁片接的是漏极吗?为什么?
2015-10-25 20:56:23
、试验器件IPZ65R019C7 最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET切换时间,比传统的TO247封装短。得益于开关损耗降低,最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET实现了更高效率,如图
2018-10-08 15:19:33
大功率TVS管和小功率TVS管是有应用区别是什么?小封装大功率SMB30J系列TVS的应用是什么?
2022-01-14 07:09:46
率。 AP3405提供一系列完善的保护功能,包括打嗝模式短路保护、欠压闭锁、超温保护和过流保护,从而保护终端系统及器件本身。 采用U-DFN2020-8封装的AP3405以一千个为出货批量。
2018-10-09 10:59:43
的基础。MOSFET设计的改进可使威廉希尔官方网站
设计者充分发挥改进器件的性能,比如开关性能的提高和其他几个关键参数的改善,可确保转换器能够更高效地运行。某些情况下,还可对设计的威廉希尔官方网站
进行修改。若不采用这些改进
2018-12-07 10:21:41
`罗姆低门驱动电压MOSFET具有0.9伏至10伏的宽驱动类型。 这种广泛的驱动器类型范围支持从小信号到高功率的各种应用。 这些MOSFET具有与微型封装(0604尺寸)一样小的尺寸选择。 各种大小
2021-02-02 09:55:16
sY7304DHC,高效33V,4A,1MHz升压调节器,矽力杰代理供应。1. 一般描述特征:sy7304是效率高,电流模式控制升压稳压器。该器件集成了一个高Ω RDS(ON)的N沟道MOSFET
2016-05-03 20:36:24
产品系列包括以下SiC MOSFET:1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ,均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产,加上类似器件将采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
、SJ-MOSFET的10分之1,就可以实现相同的导通电阻。 不仅能够以小封装实现低导通电阻,而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。 SJ-MOSFET只有900V的产品,但是SiC却能够以很低
2023-02-07 16:40:49
,SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动,从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小(可实现小型封装),而且体
2019-04-09 04:58:00
,SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动,从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小(可实现小型封装),而且体
2019-05-07 06:21:55
,智能穿戴,智能锁触摸按键等领域。品牌质量,价格实惠,欢迎来电垂询。 产品概述:TTP233D-RB6是一款采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应电
2019-07-18 09:06:03
反向保护连接集成先进功率MOSFET相当于44米′DS(ON)·Dfn1X1x0.37-4包·低过充释放电压·超温保护·过充电流保护0.4A两步过流检测:-过充电流0.4A-负载短路·充电器检测功能
2021-04-10 17:15:51
`深圳市展嵘电子有限公司朱一鸣 手机号码:***QQ:1275294458XB6091全网超小封装DFN1X1封装之一,耳机二合一保护IC专用XB6091ISC产品是一个高锂的集成解决方案?离子
2019-05-05 19:42:04
MOSFET相当于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·过充释放电压低·过热保护·过度充电电流保护·两步过电流检测:过量放电电流负载短路·充电器检测功能·0V电池充电功能-内部生成延迟时间·高精度
2018-11-01 19:06:21
长时间使用的信息设备?电池寿命。·电池反向保护连接·集成先进功率MOSFET相当于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·过充释放电压低·过热保护·过度充电电流保护·两步过电流检测:过量
2019-08-29 09:13:50
和锂聚合物电池供电的需要长时间电池寿命的信息家电。电池反向保护无外载连接·集成先进功率MOSFET相当于44mΩrds(ON)·DFN1X1x0.37-4封装·低过充电释放
2021-05-12 17:48:35
威廉希尔官方网站
应用简单、外围器件少、超小封装SOT23-6、大电流1A输出、92%高效转换。
2013-05-24 11:46:27
应用。虽然3mm x 3mm功率封装已经使DC-DC威廉希尔官方网站
使用的空间大幅减少,还是有机会能够把所用的空间再减少一点,以及提高功率密度。实现这个目的的办法之一是用组合了两个器件的封装替代分立的单片MOSFET
2013-12-23 11:55:35
功率MOSFET的高效热管理
2019-02-03 21:16:30
,大电流,小封装MOS,实际电压可以达到100V,可以满足LED电源,充电器,小家电等需要低压,大电流,小封装的要求。HC510参数:100V 5A SOT-23 N沟道MOS管/场效应管:100V 5A
2020-07-10 11:53:19
SOT23-6封装(HT8233K)或者DFN-6 2*2(HT8323K)超小封装 产品应用:◆ 智能穿戴◆ TWS蓝牙耳机◆ 指纹锁联系人:洪武(销售工程)手机:***Q Q: 2926372413
2020-07-08 08:54:04
了先进的功率管,高精度电压检测和延迟威廉希尔官方网站
。XB6166IS为DFN2x2-6的封装形式,并且只需要一个外围器件,非常适合用于空间有限的电池保护板应用。XB6166IS具有过充保护,过放保护,过流保护
2019-09-05 11:28:39
产品概述:8323是两款国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应威廉希尔官方网站
使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代
2018-08-31 11:17:24
◆ DFN-6 2*2封装单通道触摸按键芯片8323现已经批量出货,大量库存,欢迎选购!产品概述:8323是两款国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给
2018-09-20 10:17:30
`快速充电过压充电保护器件TVS DFN1610DFN2020P2E封装DFN1610-2L封装浪涌保护器件 DC0371P6 (Marking Code: 73)DC0571P6 (Marking
2019-09-24 09:16:59
SOT23-6封装(HT8233K)或者DFN-6 2*2(HT8323K)超小封装 产品应用:◆ 智能穿戴◆ TWS蓝牙耳机◆ 指纹锁联系人:洪武(销售工程)手机:***座机:0755-33653783 (直线)Q Q: 2926372413
2020-07-21 17:25:37
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 编辑
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
产品概述:233DS是一款采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应威廉希尔官方网站
使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代传统
2019-05-15 08:47:53
一个6脚芯片上印有EADURT字样,芯片很小封装像SOP6,除去引脚,大小就比0805的电阻大点。不知道是个什么芯片啊,好像是用在电源部分。
2014-10-14 09:35:15
产品概述:8223LC和8323是两款款国内首创采用DFN超小封装的单按键触摸芯片,此触摸芯片内建稳压威廉希尔官方网站
,提供稳定的电压给触摸感应威廉希尔官方网站
使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸
2018-08-29 09:54:21
哪一个小封装的单片机芯片带ADC,DAC,UART?
2023-06-25 06:19:41
MOSFET,高精度电压检测威廉希尔官方网站
和延迟威廉希尔官方网站
。Xbr6096系列是放在一个超超。..小的Dfn2X2-6封装和只有一个外部组件使其成为理想的解决在有限的空间的电池组。Xbr6096系列具有所有的保护功能电池
2021-05-12 16:59:37
车载吸尘器MOS DFN3333小封装 低内阻 原厂直销东莞市惠海半导体有限公司研发设计、生产销售高品质价格有优势的低结电容、低内阻MOS管 。HC3039D中压MOS:30V,N沟道,大电流,小封装
2020-06-08 15:02:21
北京 - 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 2A、36V 降压型开关稳压器 LT1912,该器件采用 3mm x 3mm DFN (或
2018-11-26 16:59:46
LTC3216采用小型DFN封装的低噪声高效电荷泵,以及4个0603电容和2个0402电阻。这款LXCL-PWF1 luxeon闪光灯驱动器非常小巧
2019-03-11 07:26:25
`SOD882/DFN1006封装DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封装封装超低电容TVS/ESD保护二极管,应用高速数据通信保护DL0521P1双向
2019-11-12 14:11:12
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 编辑
针对快充应用设计需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ,DFN33和DFN56封装的MOSFET,推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
(1)XM5021功能特点:2.5V-5.5V降到1.V-3.3V,输出电流0.2A,超低功耗0.29uA;搭配蓝牙主控芯片;小封装DFN2*2-8(2)ETA3425 功能特点:2.6V-7V降到
2021-09-28 19:08:31
No−Lead package (DFN/QFN). The DFN/QFN platform represents the latestin surface mount packaging technology, it is important that the des
2009-04-27 16:27:3286
Altera器件高密度BGA封装设计:随着可编程器件(PLD) 密度和I/O 引脚数量的增加,对小封装和各种封装形式的需求在不断增长。球栅阵列(BGA) 封装在器件内部进行I/O 互联,
提
2009-06-16 22:39:5382 FA-238/238V 超小封装尺寸的SMD晶振
产品规格 ‧超小封装尺寸
2010-01-08 16:41:222135 EPSON-FC-135 超小封装尺寸的SMD(3.2X1.5 X0.8mm)
产品规格 ‧超小封装尺寸的SMD (3.2 × 1,5 × 0.8 mm) ‧标准时钟频率32.768KHZ. 产品
2010-01-08 16:42:202828 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封装,为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电
2010-11-24 09:14:351506 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积,较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间
2011-05-31 09:31:183330 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线
2011-06-01 08:54:01452 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401838 Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4mm,面积只有4mm2,是一款额定电压为 -25V的P通道元件,较同类
2012-05-04 11:34:53926 日前,集设计,开发和全球销售的功率半导体供应商AOS半导体有限公司(AOS),发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET,它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 AK4183 小封装触摸屏控制器
2012-06-05 15:03:431229 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出全球首批采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ,以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。
2015-01-28 14:07:571385 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装,分别
2015-12-16 16:57:431160 的尺寸为5mm x 6mm,占板空间和高度只有TO-252(DPAK)封装器件的一半。而且,与无引线DFN封装的MOSFET相比,在整机设备的使用寿命内碰到温度循环情况时,PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。
2016-07-18 16:19:591555 关键词:逻辑器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出两款采用了全球最小封装形式DFN0808的单门逻辑器件系列74AUP1G及74LVC1G。两款微型逻辑器件的占位
2018-09-23 12:38:02221 视频简介:目前,市场对低能耗和节能型电子产品的需求极大,从而符合及超越政府及行业标准组织的节能要求。功率MOSFET由于开关损耗低,已经成为主要开关器件的标准选择。功率MOSFET在高速开关、高击穿
2019-03-06 06:05:003591 的功率MOSFET管脚直接插到根部,高度的限制不能使用TO247的封装。有些超薄设计直接将器件管脚折弯平放,这种设计生产工序会变复杂。
2020-01-28 15:17:006671 DN466 - 热插拔控制器、MOSFET 和检测电阻器集成在一个 5mm x 3mm DFN 封装中,以在紧凑狭小的空间提供 准确的电流限制和负载电流监视
2021-03-18 21:25:585 采用 3mm x 3mm DFN 封装的 500mA 低噪声、高效率双模式充电泵
2021-03-18 23:01:307 DFN封装,相对来说,是一种比较新的表面贴装封装工艺。在ESD二极管产品中,DFN封装很常见,具体封装有:DFN-2L、DFN-3L、DFN-6L、DFN-8L、DFN-10L、DFN
2021-08-16 17:12:352684 ZLG致远电子新推出的电源隔离芯片采用成熟的SiP工艺与DFN封装,相比传统SIP封装体积缩小75%,性能和生产效能也有所提升。本文为大家分享传统SIP封装和采用SiP工艺的DFN封装有何区别
2021-09-22 15:12:537172 Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求 奈梅亨,2022年7月6日:基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用
2022-07-06 16:13:22586 PRISEMI芯导低电容、小封装成为ESD保护器件未来发展趋势
2022-07-20 17:12:421052 虽然尺寸至关重要,但在许多方面,Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正优势在于其RDSon。提供额定 VGS 为 4.5 V 的选项,典型 RDSon 低至 122 mΩ。在某些
2023-02-03 10:39:55298 尽管DFN封装的尺寸非常紧凑,但它具有出色的功耗能力。然而, 使用具有低热阻和足够导热性的 PCB 是强制性的,以允许适当的横向散热.图2中的红外图片显示了高功率密度,显示了SOT23
2023-02-08 09:45:381926 DFN 封装的热性能-AN90023_ZH
2023-02-16 21:17:480 DFN 封装的热性能-AN90023
2023-02-17 19:10:101 N0606N 数据表
2023-03-14 19:34:260 Vishay 推出三款新系列汽车级表面贴装标准整流器,皆为业内先进的薄型可润湿侧翼 DFN3820A 封装器件。
2023-04-28 09:09:53390 随着新一代5G网络、IoT物联网技术和AI人工智能技术的迅猛发展,小型化已成为笔电服务器、智能穿戴、智能家居等各种电子产品最重要的发展趋势之一。中微爱芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封装的逻辑芯片,可最大程度地减少外部元器件尺寸,节省PCB的宝贵空间。
2023-05-31 09:34:23642 点击上方蓝字关注我们~DFN0603封装简称0201封装,贴片时容易料袋粘料,雷卯教您如何解决有客户反应在使用防静电元器件ESD,超小封装0201(DFN0603)时,料带有沾料的现象,这一
2022-01-17 10:26:361160 管理好各个耗电环节。矽力杰新一代DC/DC降压芯片SY80004,适用于小型移动互联产品,在DFN1.5x1.5mm的超小封装下为设备提供4A输出电流,静态电流仅为
2022-05-21 09:29:44859 N0606N 数据表
2023-07-05 20:00:180 RQK0606KGDQA 数据表
2023-07-13 19:05:590 电子发烧友网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081 1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 带有快速体二极管的MOSFET器件通过LLC拓扑和FREDFET来提高效率
2023-12-08 17:35:56359 DFN封装是一种先进的电子元件封装工艺,与SMD封装相比,DFN封装提供了更高的灵活性和稳定性。
2024-01-28 17:24:551396 电子发烧友网站提供《采用DFN封装的 TPS63802 2A、高效率、低IQ降压/升压转换器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-07 10:11:320
评论
查看更多