功率半导体专业术语有哪些

半导体：常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见 的半导体材料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中，在商业应用上最常见的一种材料。

流片：像流水线一样通过一系列半导体制备工艺步骤制造芯片。

集成威廉希尔官方网站 =IC：一种微型电子器件或部件。具体指采用半导体制备工艺，把一个威廉希尔官方网站 中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导 体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为 具有所需威廉希尔官方网站 功能的微型结构。

半导体分立器件、分立器件：半导体分立器件，与集成威廉希尔官方网站 相对而言的，采用特殊 的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体器 件，且该功能往往无法在集成威廉希尔官方网站 中实现或在集成威廉希尔官方网站 中实现难度较大、成本较高。分立器件主要包括功率器件及小信号器件。

半导体功率器件、功率器件、功率分立器件：又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能变换和控制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的重要组成部分，主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。

芯片（chip）：通过在硅晶圆片上进行抛光、氧化、扩散、光 刻等一系列的工艺加工后，在一个硅晶圆片上同时制 成许多构造相同、功能相同的单元，再经过划片分离 后便得到单独的晶粒，即为芯片。

光电子器件：利用半导体光-电子（或电-光子）转换效应制成的各种功能器件，如LED、VCSEL、TOF、SPAD等。

MOSFET、功率 MOSFET、MOS 管：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物场效应晶体管，属于电压控制型器件，目前已广泛使用在电力电子威廉希尔官方网站 中，也可以单独作为分立器件使用以实现特定功能。

沟槽型MOSFET、沟槽型功率 MOSFET、Trench MOSFET：MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损耗等特点。

屏蔽栅MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET 、 屏蔽栅极沟槽 MOSFET、SGT MOSFET、 Shield Gate MOSFET、Split Gate MOSFET：基于全球先进的电荷平衡技术理论，打破了普通 MOSFET的“硅限”，具有导通电阻低、开关损耗小、 频率特性好等特点。目前主要用于高端电源管理、电机驱动、汽车电子等领域。

超级结MOSFET、超级结功率MOSFET、超结型MOSFET器件：基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中 加入 p-n 柱相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器 件结构，具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗低、 芯片体积小等特点。

IGBT、IGBT器件：Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写，绝缘栅双极 型晶体管，同时具备MOSFET 和双极性晶体管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作频率高等特点，适用于 600V~6500V 高压大电流领域 。

二极管：一种具有正向导通、反向截止功能特性的半导体功率器件。

三极管：全称为半导体三极管，包括双极晶体管、场效应晶体管等，是一种具有电流放大作用的半导体器件。

IPM、智能功率模块、模块：Intelligent Power Module 的缩写，智能功率模块，一 种将功率器件和驱动威廉希尔官方网站 等集成在一起的半导体模块。

Fabless：“无制造业务、只专注于设计”的半导体企业经营模式。

CP：Chip Probe的缩写，是对未切割的整个晶圆进行的测试，目的是在封装前筛选出残次品芯片。

DEMO 方案：DEMO即Demonstration的缩写，DEMO方案是作为示范的方案样片。

导通电阻（Rdson）、内阻：MOSFET开启时漏极和源极间的阻值。导通电阻数值越小，MOSFET工作时的功率损耗越小。

栅极电荷（Qg）、栅电荷：为导通或驱动MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。数值越小，开关损耗越小，从而可实现高速开关。

宽禁带半导体、第三代半导体、宽禁带材料：宽禁带半导体材料，主要包括 SiC（碳化硅）、GaN （氮化镓）等。

碳化硅（SiC） ：第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高和击穿电场高等性质，特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域。

氮化镓（GaN）：第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。

SBD：Schottky Barrier Diode 的缩写，肖特基势垒二极管。

GTO/GTR：可关断晶闸管/电力晶体管。

JFET：Junction Field-Effect Transistor 的缩写，即结型场效应晶体管。

MPW：Multi-Project Wafer 的缩写，即多项目晶圆。将多个 具有相同工艺的芯片设计放在同一晶圆片上流片。

taiko：太鼓减薄工艺，即只对晶圆（硅片）的中间部分进行减薄，将边缘部分保留为支撑环，利用晶圆减薄的中 间部分形成半导体器件，利用较厚的支撑环来保持整个晶圆的机械强度，防止晶圆发生卷曲。

Rsp：Rdson*Active Area，是消除面积差异后的导通电阻。

SOA：Safe Operating Area 的缩写，即安全工作区，是由一系列（电压，电流）坐标点形成的二维区域，功率器件正常工作时的电压和电流不会超过该区域。

Tg：玻璃化温度，即无定型聚合物由玻璃态向高弹态或者 由后者向前者的转变温度。是无定型聚合物大分子链 段自由运动的最低温度，也是制品工作温度的上限。

开关电流：器件发生异常短路时的极限可靠关断电流值，反映器件的短路关断电流能力。

优值系数（FOM）：导通电阻与栅极电荷Qg的乘积。FOM 值越低，表示器件同时具备低导通电阻和快速开关特性，器件损耗特性越好。

MSL：Moisture Sensitivity Level 的缩写，即潮敏等级。一共分为 8 级，其中 MSL1 为最优等级。

EAS：单脉冲雪崩击穿能量，在MOSFET不被损坏的前提 下，单一脉冲冲击下所能吸收的能量。代表了MOSFET 承受雪崩电流、耗散雪崩能量的能力，是评价其设计特性的重要指标。

编辑：黄飞