IGBT关断时,集电极电流Ic迅速减小到0,急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感,产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上,使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短,也可能对IGBT
2022-08-23 11:02:045420 IGBT模块内部 杂散电感的定义 IGBT半桥逆变威廉希尔官方网站
工作原理以及当IGBT1开通关断时的电压电流波形如图1所示,Lσ代表整个换流回路(条纹区域内)所有的杂散电感之和(电容器,母排,IGBT模块
2023-08-18 09:08:182225 至此,我们完整地分析了关断瞬态过程中IGBT内部的空穴浓度分布变化从而引起的电荷存储变化,而电荷对时间的变化率即对应电流。
2023-12-01 14:06:37418 晶体管耦合行为以关断电流。此类器件有个电流上限,称为最大可关断电流或最大可控制电流。当电流超过这一极限,欲施加更大的反向栅电流以关闭器件时,会引发p型基区与n⁺阴极导通而无法关闭电流。GTO 晶闸管的最大可关断电流密度约为 1000A/cm ² ,最大关断增益(器件电流与反向栅电流之比值)约为 5。
2024-01-17 09:42:29356 关断IGBT时由于电感中储存有能量,集电极-发射极间会发生浪涌电压。
2024-02-26 12:18:19936 IGBT关断尖峰电压抑制方法的研究
2013-06-11 16:00:20
关断波形如下所示,然后管子就坏了,求解
2017-07-14 13:41:21
威廉希尔官方网站
的开关周期。二极管V应选用正向过渡电压低、逆向恢复时间短的软特性缓冲二极管。 (3)、适当增大栅极电阻Rg。实践证明,Rg增大,使IGBT模块的开关速度减慢,能明显减少开关过电压尖峰,但相应的增加了
2012-06-19 11:26:00
6us内关断,不过驱动芯片有DESAT脚,无IGBT下测试,生效时间6us内。)于是想先在低压下同样操作看异常波形在哪。目前在50V母线电压情况下做关断,测出有下面这样的波形,从C极关断时候的高压看
2019-07-04 21:27:32
IGBT的开关速度减慢,能明显减少开关过电压尖峰,但相应的增加了开关损耗,使IGBT发热增多,要配合进行过热保护。Rg阻值的选择原则是:在开关损耗不太大的情况下,尽可能选用较大的电阻,实际工作中按Rg
2011-08-17 09:46:21
90kW变频器,当电流达到110A以上时,IGBT在关断的时候,出现这个波形,请问是怎么回事?在110A以下就不出现。这是IGBT Vce的电压波形,当关断的时候还要再开通一下,这样不就很容易上下桥直通了吗?这是怎么回事呢?是米勒效应导致的吗?如何解决呢?
2017-07-24 10:06:32
,而并非IGBT的集电极电流。在文章开始,我们提出了一个问题,增加IGBT的门极关断电阻,电压尖峰反而增加?上次并没有说清楚,这次我们在深入讨论一下这个问题。图1. IGBT关断过压与门极电阻关系我们都
2023-02-13 16:20:01
管并联方案的时候也很好用。 RGext:由工程师设置,包含Rgon(开通电阻)和Rgoff(关断电阻),一般在设计时通过不同的充放电回路来设置不同的Rgon和Rgoff;栅极电阻对IGBT的开关
2021-02-23 16:33:11
是非常快的,可以达到几十ns,一般情况下驱动推挽威廉希尔官方网站
的上管开通速度越快,门极电阻越小,di/dt就会越大,因此尖峰也会越高。搞清楚机理后,大家就应该知道这个尖峰对IGBT是没有什么影响的,只是内部寄生
2021-04-26 21:33:10
开启IGBT时IGBT的电压与电流有何关系?关断IGBT时IGBT的电压与电流有何关系?
2021-10-14 09:09:20
常见的逆变威廉希尔官方网站
的元件主要分为分立器件的IGBT和集成的IGBT模块,这些又分为不同电压等级和电流大小,那么IGBT的开通时间和关断时间是否相同,如果不相同,哪个时间更长一些?并且,在设计IGBT
2024-02-25 11:06:01
后有一个震荡后快速完全关断至关断电压,这个震荡也可能是示波器测量的误差,实际可能不会震荡。CE电压在导通时是一个低值,短路瞬间CE电压快速上升,但是在上升最大值之前会有一个小的尖峰,就是会有两个尖峰
2024-02-25 11:31:12
“断电还是关断?”“当然是关断!”对这个问题感到吃惊的人会大声说道,其他人可能会寻思二者有何差异。关断模式常常会保留存储器内容,启动时间更短,漏电流超低,而如果切断电源,这一切都不复存在。 但是
2018-12-21 11:34:33
【不懂就问】在单端反激威廉希尔官方网站
中常见的一部分威廉希尔官方网站
就是RCD组成的吸收威廉希尔官方网站
,或者钳位威廉希尔官方网站
,与变压器原边并联其目的是吸收MOSFET在关断时,引起的突波,尖峰电压电流到那时MOSFET是压控器件,为什么在关断时会引起尖峰电压电流?怎么在三极管BJT的应用中看不到类似吸收威廉希尔官方网站
2018-07-10 10:03:18
PMOS高边开关控制威廉希尔官方网站
如下图:
输入侧使用15KW整流模块,输出侧固定8欧姆负载电阻。
整流模块设置为40V/5A,模块空载情况下输出为100V/0A。此时PMOS可以正常开关,波形红色为VGS
2024-02-05 15:54:27
闲来无事做一个电瓶充电器,开始一切似乎还算顺利,但最后遇到了vmos关断的时候,有一个高达100v的电压尖峰脉冲(此时平均充电电流仅约0.8A),我尝试着调整了输入电阻、在DS之间增加了RC吸收威廉希尔官方网站
2021-07-06 14:59:49
Vmware Workstation模拟关断电源强制关机强制关闭Vmware Workstation强制关闭Vmware Workstation适用于Vmware Workstation16(可能
2021-12-29 07:12:20
一、mos关断电路知识基础1、PMOSPMOS是栅极高电平(|Vgs| >Vt)导通,低电平断开,可以用来控制与地之间的导通。对于PMOS来说,一般是源极接电源正极,而栅极接在电源负极。2
2021-10-29 07:07:07
不间断电源中IGBT关断吸收威廉希尔官方网站
资料,给大家分享一下!
2013-04-06 02:13:12
2018.2 Ultra96:从 Matchbox 桌面关断 PetaLinux BSP,无法关断电路板
2021-01-25 06:32:04
[电源系列]二、低成本MOS快速关断电路原理分析1. 威廉希尔官方网站
图2. 威廉希尔官方网站
分析1. 威廉希尔官方网站
图如图所示,R22为PWM输入,16.8V为输入电压,,4为输出开关管,Q5 、D2、R17为MOS快速关断电
2021-12-29 07:12:06
`如题这是IR芯片的HO的控制信号这是我用一个2K电阻串IGBT后接5v电压测试电阻电压图IGBT关断时间差不多200个us了IGBT手册里给的 关断总的时间不超过500ns `
2015-11-30 17:22:32
比较器,提高电流检测的准确性。如果发生过流,驱动器EXB841的低速切断电路慢速关断IGBT,以避免集电极电流尖峰脉冲损坏IGBT器件。图7 采用IGBT过流时Vce增大的原理进行保护
2009-01-21 13:06:31
极反偏,可提高阳极dv/dt耐量,有利于GTO的安全运行。另外,供电方式和威廉希尔官方网站
参数都对GTO有影响,如门极串联电阻会导致关断能力下降,门极并联电阻或电容可提高dv/dt耐量,门极串联小电感可提高关断
2018-01-12 09:36:32
关断时刻(B时刻),C会减缓集电极电压的上升速度,但同时也被充电到2Vdc(在忽略该时刻的漏感尖峰电压的情况下)。电容C的大小不仅影响集电极电压的上升速度,而且决定了电阻R上的能量损耗。在Q关断瞬间,C
2018-11-21 16:22:57
开关管由开通到关断的功耗测试 由开通到关断的时间Toff-rise(nS) 100 (测量电压波形的上升时间,单位ns) 由开通到关断电压的最大值Voff-max(V) 288 由开通到关断电流的最大值Ioff-max(A) 0.637
2011-06-10 10:12:15
(th)后, IGBT才会导通。从上述公式可以看出, Uge的上升速度是和时间常数成反比的, 即栅极电阻和输入电容越大, 上升速度越慢, IGBT开通的时间就越长。 1.2 IGBT的关断初态 若
2011-09-08 10:12:26
请问各位大神,我现在用单向晶闸管做实验,主威廉希尔官方网站
是直流电(300A 5V),目前能够实现晶闸管导通,但没有想到用什么方法使其关断,请问如何关断单向可控硅啊?
2015-12-15 16:05:03
,IGBT过快的开通与关断将在威廉希尔官方网站
中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压Ldi/dt,并且这种尖峰很难被吸收掉。此电压有可能会造成IGBT或其他元器件被过压击穿而损坏。所以在选择驱动波形的上升
2016-11-28 23:45:03
,IGBT过快的开通与关断将在威廉希尔官方网站
中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压Ldi/dt,并且这种尖峰很难被吸收掉。此电压有可能会造成IGBT或其他元器件被过压击穿而损坏。所以在选择驱动波形的上升
2016-10-15 22:47:06
,漏极电流过大造成了过高的功耗,最后导致器件的损坏。 ②过电压损坏; IGBT在关断时,由于逆变威廉希尔官方网站
中存在电感成分,关断瞬间产生尖峰电压,如果尖峰电压过压则可能造成IGBT击穿损坏。 ③桥臂共导
2012-03-29 14:07:27
16A,电压600V,我的直流侧电压只有48V,检测的电流也只有2A左右,但是断电后IGBT都很烫。 是不是在关断的瞬间的尖峰电压击穿了GE,有什么措施呢?我门极只加了个驱动电阻50欧,还要不要加什么威廉希尔官方网站
呢?(开关频率10K, 死区2us)
2017-07-17 21:19:30
极电阻关系增加IGBT的门极关断电阻,电压尖峰反而增加?这是什么鬼?是不是和我们想象的不一样,波拉图学院波老师也提到过这个问题,大家有兴趣可以回顾一下:IGBT新手误区-门极电阻改大点能降关断尖峰
2023-02-13 16:11:34
遥控关断电路图
2019-10-12 10:43:26
的结果 杂散电感与电流变化率的结合影响着器件的开通和关断电压特性,可以表示为ΔV=L*di/dt。因此,如果器件关断时电感Lσ较大,电压尖峰就会升高。关断行为对栅极电阻很不敏感。这是沟槽场截止IGBT
2018-12-07 10:16:11
请问一般500AGTO门极可关断晶闸管的反向门极关断电压能达到多少V?
2016-01-12 16:07:03
IPM/IGBT应用中的问题IGBT的栅极驱动设计,采用驱动IC驱动,经过一级放大后驱动(用来驱动大电流模块),2-1. 栅极驱动电压VG开通电压(正电压):+VG= 15V (±10%)关断电压(负偏压):-VG= 5~10V2-2.
2008-11-05 23:10:56122 有效抑制IGBT模块应用中的过电压寄生杂散电感会使快速IGBT关断时产生过电压尖峰,通常抑制过电压法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率。
2010-03-14 19:06:5248 比较电磁继电器与固体继电器的异同,对各自的相关参数和概念做了粗浅分析,探讨固体继电器接通电压和关断电压等参数的质疑与争议,对相关问题提出了看法和建议。
2010-12-22 16:48:0050
自动关断的楼梯灯
2009-04-17 11:53:371162 可关断晶闸管(GTO)
2009-07-16 22:38:32957 遥控关断电路
2009-10-22 15:22:41523 硬开关斩波威廉希尔官方网站
中的IGBT的关断电压波形威廉希尔官方网站
2010-02-17 23:08:171878 两个反向阻断型IGBT反向并联时的威廉希尔官方网站
和关断波形威廉希尔官方网站
2010-02-18 10:47:481450 可关断晶闸管(GTO),可关断晶闸管(GTO)是什么意思
可关断晶闸管
turn-off thyristor
2010-03-03 11:54:1310619 什么是门极关断(GTO)晶闸管
可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)亦称栅控晶闸管。其主要特点为,当栅极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。
2010-03-05 13:28:506518 具有软栅压、软关断保护功能的IGBT驱动威廉希尔官方网站
2010-03-14 18:58:015431 延时关断电子开关威廉希尔官方网站
,带阻性负载延时关断电子开关威廉希尔官方网站
,带阻性负载
2015-12-15 11:49:1130 高压IGBT关断状态失效的机理研究,IGBT原理,PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 计,采 用多触点结构,具备尺寸大小与IGBT模块精确匹配的六个母线端子。其优异的结构设计不仅提供了极佳的导电性能,还大大降低了寄生效应,如最大等效串联电阻为0.6 mΩ,等效串联电感仅为25 nH。由于元件的ESL值极低,IGBT关断所产生的电压尖峰几乎能完全消除。
2017-04-11 10:22:361295 IGBT的优势在于输入阻抗很高,开关速率快,导通态电压低,关断时阻断电压高,集电极和发射机承受电流大的特点,目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。IGBT已经由第三代发展到第五代
2017-11-14 14:20:2025 在带变压器的开关电源拓扑中,开关管关断时,电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分,同时,由于威廉希尔官方网站
中存在杂散电感和杂散电容,在功率开关管关断时,威廉希尔官方网站
中也会出现过电压并且产生振荡。如果尖峰
2017-12-07 09:41:0111705 已有研究表明,键合线老化脱落失效是影响绝缘栅双极型晶体管( IGBT)可靠性的主要因素之一。以此为研究背景,首先根据IGBT模块内部键合线的结构布局与物理特性,分析键合线等效电阻与关断暂态波形的关系
2018-01-02 11:18:145 极电压抬升的影响,关断时间延长而造成死区的设置不足,除了会增大上下管直通的可能性,在IGBT上下管开关断的过程中,产生的飘移电流会通过门极电阻,所以会给关断状态下的IGBT 提供了更高的误导通的风险。给予
2018-06-08 10:30:001289 的重要因素。基于压接式IGBT模块双脉冲测试平台,介绍一种基于关断电流最大变化率的压接式IGBT模块结温提取方法,分析压接式IGBT芯片结温和模块关断电流最大变化率间单调变化关系,并利用压接式IGBT模块封装结构固有的寄生电感有效获取关断电流最大
2018-02-01 10:20:499 用电池供电的设备,如果忘记关断电源.电池的电能就会在不知不觉中耗尽;而且干电池往往在耗尽电能后漏液,腐蚀威廉希尔官方网站
板。
2019-02-06 19:16:003673 BJT 是一种电流控制型器件, 发射极e和集电极c传导的工作电流受基极b引入的较小电流的控制, 如等效威廉希尔官方网站
所示, BJT受MOSFET漏极电流控制. 在IGBT关断td(off
2018-12-22 12:41:5538202 普通单向晶闸管靠控制极信号触发之后,撤掉信号也能维持导通。欲使其关断,必须切断电源或施以反向电压强行关断。这就需要增加换向威廉希尔官方网站
,不仅使设备的体积、质量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声,可关断晶闸管克服了上述缺陷。
2021-01-07 14:31:524426 可关断晶闸管的结构和普通单向晶闸管一样,也是由PNPN四层半导体构成,外部也有三个电极,即门极G、阳极A和阴极K。普通单向晶闸管只构成一个单元器件,而可关断晶闸管则构成一种多元的功率集成
2021-01-07 15:11:428823 使用 2018.2 Ultra96 PetaLinux BSP 构建图像时,如果我在 Matchbox 桌面点击关断图标,威廉希尔官方网站
板不关断。服务器窗口会关闭,屏幕变为空白,但威廉希尔官方网站
板还在运行。
2022-02-08 15:37:53808 使用 2018.2 Ultra96 PetaLinux BSP 构建图像时,如果我在 Matchbox 桌面点击关断图标,威廉希尔官方网站
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2021-02-03 08:00:0110 在IGBT开关过程中通常用开通延迟td(on)、关断延迟td(off)、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。
2021-05-06 10:06:016718 大功率逆变电源IGBT关断电压尖峰抑制研究(电源技术应用2013年第3期)-自20世纪80年代以来,以IGBT为代表的双极型复合器件的迅速发展,使得电力电子器件沿着高电压、大电流、高频化、模块
2021-09-17 09:51:0055 时控开关断电后不需要重新调。 蓝牙时控开关内置智能芯片,具有断电记忆功能,所以时控开关断电之后无需重新设置定时时间,可以按照之前设置的时间进行自动定时开、关。 时控开关 蓝牙时控开关分为两款
2021-12-31 11:19:442564 当我们使用MOS管进行一些PWM输出控制时,由于此时开关频率比较高,此时就要求我们能更快速的开关MOS管,从理论上说,MOSFET 的关断速度只取决于栅极驱动威廉希尔官方网站
。当然电流更高的关断电路可以更快
2022-04-11 08:03:0119956 有源钳位威廉希尔官方网站
的目标是钳住IGBT的集电极电位,使其不要到达太 高的水平,如果关断时产生的电压尖峰太高 如果关断时产生的电压尖峰太高,或者太陡,都会使 IGBT受到威胁。 IGBT在正常情况关断时会
2022-05-09 17:39:115 总结一下,对于米勒电流引起的寄生导通,在0V关断的情况下,可以使用米勒钳位来抑制。当出现非米勒电流引起的寄生导通时,如果不想减慢开关速度增加损耗的话,加个负压会是一个极其便利的手段。
2022-05-12 11:57:068079 升压型 DC/DC 转换器具有从输入到输出的直接路径(通过电感器和肖特基二极管),这使得完全关断变得困难。本威廉希尔官方网站
通过在输入和输出之间插入一个外部MOSFET,由RS-17112收发器(MAX232)控制,实现MAX3384转换器的完全关断。
2023-02-10 11:06:45992 上一篇,我们写了基于感性负载下,IGBT的开通过程,今天,我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析,而今
天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。
2023-02-22 15:21:339 (一)IGBT双脉冲测试的意义 对比不同IGBT的参数及性能; 获取IGBT开通和关断过程的参数; 评估驱动电阻是否合适; 开通和关断过程是否有不合适的震荡; 评估二极管的反向恢复行为和安全
2023-02-22 15:07:1511 , 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况,由
于对IGBT关断机理认识不清, 对关断时间随电压和电流的变化规律认识不清, 导致无法解释在使用过程中出现的电流拖尾长、
死区时间长等现象, 不能充分发挥IGBT的性能; 导致IGBT因使用不当, 烧毁。今天我们就IGBT关断时的
2023-02-22 14:57:543 IGBT模块在电力电子变流领域应用尤为广泛,其吸收电容的选型计算成为热点。由于IGBT模块关断时会产生较高的尖峰附加电压,叠加在母线电压上容易导致IGBT模块烧毁(IGBT模块开通时的尖峰附加电压
2023-02-23 09:11:1216 toff=ts+tf。 主要参数 大多数和普通晶闸管相同。 最大可关断阳极电流Iato:用门极电流可以重复关断的阳极峰值电流 阳极尖峰电压Up:下降时间的尾部出现的尖峰电压。 关断增益βoff:最大关断阳极电
2023-03-06 14:26:360 igbt模块的作用是什么 IGBT模块主要用于变频器逆变和其他逆变威廉希尔官方网站
。将直流电压逆变成频率可调的交流电。它有阴极,阳极,和控制极。关断的时候其阻抗是非常大的基本是断路,接通的时候存在很小的电阻
2023-05-17 15:09:125490 ,该驱动器采用节省空间的 SOP-4 封装,集成关断电路。 Vishay Semiconductors VOMDA1271 专门用来提高汽车应用性能,同时提高设计灵活性并降低成本,开关速度和开路输出电压均达
2023-06-08 19:55:02374 在电源关断模块有可能要求register对关断前的数据进行锁存或者在电源打开后要求对锁存的数据进行恢复,这就需要特殊的单元Retention Register。
2023-06-29 12:46:23190 米勒电容对IGBT关断时间的影响 IGBT,即绝缘栅双极性晶体管,是一种高效、高稳定性的半导体器件。它是一种功率开关元件,能够控制大电流和高电压的开关。IGBT的关断时间是非常重要的一个参数
2023-09-05 17:29:421284 igbt怎样导通和关断?igbt的导通和关断条件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种晶体管,可以用作开关。IGBT由P型注入区、N型衬底
2023-10-19 17:08:028172 IGBT的工作原理 IGBT一定要加负压才能关断吗?IGBT的导通和关断条件有几种? 一、IGBT的工作原理 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即增强型
2023-10-19 17:08:082597 IGBT在控制极上加正电压可以控制导通,电压为0时可以让其关断,那么加一个反压呢?IGBT会是什么情况? 关于IGBT在控制极上加反压的情况,我们需要探讨IGBT的结构、工作原理以及反压对其产生
2023-10-19 17:08:11861 对比不同IGBT的参数及性能;
获取IGBT开通和关断过程的参数;
评估驱动电阻是否合适;
开通和关断过程是否有不合适的震荡;
2023-11-10 09:12:32786 电子发烧友网站提供《如何针对反向转换器的FET关断电压而进行缓冲.doc》资料免费下载
2023-11-15 09:19:430 什么是绝缘栅双极型晶体管的开通时间与关断时间? 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种主要应用于功率电子装置中的半导体器件,其具有低导通压降和高关断速度等优点。开通时间和关断时间是评估IGBT性能
2024-02-20 11:19:16280
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