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隔离式栅极驱动器的演变（IGBT/SiC/GaN）
- MOSFET(209665)
- IGBT(242707)
- SiC(61351)
- GaN(67132)
- 栅极驱动器(38561)
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所有功率级别的IGBT都需要栅极驱动器。给功率管增加驱动的方式分为非隔离驱动和隔离驱动。一般来说，在驱动的大小上隔离驱动会比非隔离驱动大得多。 因为非隔离驱动模块整体都在同一硅片上，耐压极限会很有限，大多数非隔离驱动器的工作电压都不
2021-11-03 09:33:56
3665
3665隔离式栅极驱动器的峰值电流
隔离式栅极驱动器提供电平转换、隔离和栅极驱动强度，以便操作功率器件。这些栅极驱动器的隔离特性允许高侧和低侧器件驱动，并且能够在使用合适的器件时提供安全栅。示例应用程序如图 1 所示。VDD1
2022-12-19 11:46:181809
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德州仪器(TI)推出面向IGBT与MOSFET的隔离式栅极驱动器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610
1610德州仪器推栅极驱动器旨在满足IGBT与SiC FET需求
德州仪器 （TI） 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 与碳化硅 （SiC） FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新 UCC27531
2013-03-04 10:59:311173
1173最实用的栅极驱动芯片选型指南
英飞凌提供500多种EiceDRIVER™栅极驱动器解决方案，用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔离型栅极驱动器、 电平转换栅极驱动器以及非隔离低边驱动器，从而满足各种功率半导体技术和功率转换拓扑的设计要求。
2019-01-29 09:58:3227184
27184
IGBT和SiC栅极驱动器基础知识（一）
大家好，看到TI一篇关于IGBT和SiC器件栅极驱动应用的文档，虽然比较基础，但是概括的比较好，适合电力电子专业的初学者，总体内容如下。
2022-11-25 09:20:301195
1195新品|国内首款兼容光耦带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动器SLMi33x
数明半导体近日正式发布国内首款单通道带DESAT保护功能的IGBT/SiC隔离驱动器SLMi33x。
2021-07-19 14:40:583395
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8输出增强隔离型IGBT门驱动反激电源参考设计包括BOM及层图
描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的加强版隔离式正负电压轨。此参考设计采用反激式隔离型控制拓扑，提供符合 IEC61800-5 标准
2018-09-25 10:21:35
GaN和SiC区别
栅极电荷，它可以使用高开关频率，从而允许使用较小的电感器和电容器。 相较于SiC的发展，GaN功率元件是个后进者，它是一种拥有类似于SiC性能优势的宽能隙材料，但拥有更大的成本控制潜力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
SiC/GaN功率开关有什么优势
的隔离栅是一个重大挑战。ADuM4135 隔离式栅极驱动器采用 ADI 公司经过验证的 iCoupler®技术，可以给高电压和高开关速度应用带来诸多重要优势。 ADuM4135 是驱动 SiC/GaN
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SiC/GaN功率转换器已在各种创新市场和应用领域攻城略地
(51, 51, 51) !important]隔离式栅极驱动器的要求已经开始变化，不同于以前的。对于SiC和GaN，宽栅极电压摆幅、快速上升/下降时间和超低传播延迟。ADuM4135隔离式栅极驱动器
2019-07-16 23:57:01
SiC功率模块的栅极驱动其1
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2019-08-09 07:03:09
栅极驱动器是什么
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源威廉希尔官方网站
、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
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栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器？
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源威廉希尔官方网站
、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
栅极驱动器规格参数非完整列表
在电源电子（例如驱动技术）中，IGBT（隔离式栅极驱动器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗
2021-11-11 07:00:00
隔离式栅极驱动器揭秘
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源威廉希尔官方网站
、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
隔离式栅极驱动器威廉希尔官方网站 设计
讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器？考虑一个具有微控制器的数字逻辑系统，其I/O引脚之一上可以输出一个0 V至5 V的PWM信号。这种PWM将不足以使电源系统中使用的功率器件完全导通，因为其过驱电压一般超过标准CMOS/TTL逻辑电压。如此，请大神分析下面两种方式：
2018-08-29 15:33:40
隔离式栅极驱动器的揭秘
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源威廉希尔官方网站
、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
隔离式栅极驱动器规格介绍
您好，欢迎观看第三个讨论隔离式栅极驱动器的 TI 高精度实验室讲座。 我们将探讨可以作为隔离式栅极驱动器技术的基准核心参数。 我们将会检查这些参数的数据表定义， 讨论在隔离式和非隔离式驱动器中决定
2022-11-10 07:54:32
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2018-10-19 15:30:07
隔离型 4 轨推挽式 IGBT 门驱动电源
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2015-03-23 14:35:34
隔离型 4 轨推挽式 IGBT 门驱动电源
`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极型晶体管 (IGBT) 闸极驱动器所需的隔离式正负电压轨。IGBT 在变频驱动器的三相逆变器中用于控制交流电机的转速。此参考设计使用推挽
2015-04-27 17:31:57
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，其中SiC MOSFET用于高频开关，Si IGBT用于低频开关。隔离式栅极驱动器必须能够驱动不同要求的开关，其中较多的是并联且采用硅IGBT/SiC MOS混合式多电平配置。客户希望一种器件就能
2018-10-22 17:01:41
【转帖】如何实现隔离式半桥栅极驱动器?
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图1所示）以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，由此来控制输出功率
2018-07-03 16:33:25
一文知道隔离式栅极驱动器的特性
变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性至关重要。
2020-10-29 08:23:33
一文研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能
Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器。这些驱动器的电隔离装置体积小巧，可集成到驱动器芯片
2021-01-22 06:45:02
三相逆变器的隔离式IGBT栅极驱动器评估系统设计
描述TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S（适用于各种应用中的电机控制）。此设计可对三相逆变器（其中整合了额定
2018-12-27 11:41:40
三相逆变器的宽输入隔离型 IGBT 栅极驱动 Fly-Buck 电源
`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck™ 控制拓扑，从单一变压器生成用于三相逆变器
2015-04-27 16:55:43
单IGBT驱动器偏置的双路隔离输出Fly-Buck电源模块
描述PMP10654 参考设计是适用于单个 IGBT 驱动器偏置的双路隔离式输出 Fly-Buck 电源模块。两个电压轨适合向电动汽车/混合动力汽车和工业应用的电机驱动器中的 IGBT 栅极驱动器
2018-12-21 15:06:17
可避免栅极电流回路机制的并联IGBT驱动器
驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级（驱动强度不足）以及系统级均会带来挑战：难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式
2018-12-07 14:05:13
四路输出隔离式IGBT栅极驱动Fly-Buck电源包括BOM及层图
描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2018-09-05 08:54:59
如何使用电流源极驱动器BM60059FV-C驱动SiC MOSFET和IGBT？
过。另据报道，与基于IGBT的电机驱动器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和传统的栅极驱动器可以带来更高的效率［3］。在驱动应用中使用 SiC-MOSFET 的优势可以通过 CSD
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实现隔离式半桥栅极驱动器
阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器(如图1所示)以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
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2018-10-16 16:00:23
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展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图1所示）以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，由此来控制
2018-09-26 09:57:10
应用全SiC模块应用要点：专用栅极驱动器和缓冲模块的效果
作为应用全SiC模块的应用要点，本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上，介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全SiC模块的驱动模式与基本结构这里会针对下述条件与威廉希尔官方网站
结构，使用缓冲电容器
2018-11-27 16:36:43
推挽式隔离型控制拓扑IGBT门驱动电源设计包括BOM及框图
描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极型晶体管 (IGBT) 闸极驱动器所需的隔离式正负电压轨。IGBT 在变频驱动器的三相逆变器中用于控制交流电机的转速。此参考设计使用推挽式
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新型功率开关技术和隔离式栅极驱动器的趋势和格局
减小元件尺寸，从而减小成本、系统尺寸和重量；这些是汽车和能源等市场中的主要优势。新型功率开关还将促使其控制元件发生变化，其中包括栅极驱动器。本文将探讨GaN和SiC开关与IGBT/MOSFET的一些
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用于三相逆变器的IGBT栅极驱动隔离型电源包括BOM及层图
描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色• 隔离型
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用于三相逆变器的宽输入隔离型 IGBT 栅极驱动 Fly-Buck 电源
`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck™ 控制拓扑，从单一变压器生成用于三相逆变器
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栅极驱动DC/DC系列产品扩展
非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换器为 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动器供电变得空前简单。
2023-12-21 11:46:42334
334适用于SiC/IGBT器件和汽车应用的单通道隔离式栅极驱动器UCC5350-Q1数据表
电子发烧友网站提供《适用于SiC/IGBT器件和汽车应用的单通道隔离式栅极驱动器UCC5350-Q1数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:17:510
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