科友提前布局：SiC行业下半场是8吋时代

获6亿订单，8吋SiC率先量产 衬底综合成本低30-40%

行家说三代半：2023年贵公司取得了哪些成绩？

赵丽丽：2023年科友半导体取得的成绩包括：

SiC订单大幅增长

截止到2023年12月底，科友实现销售定单逾6亿元人民币，实现“当年投产即当年量产”。

SiC出口取得突破性进展

我们与客户签署了向欧洲的出口设备和材料亿元订单，目前该出口合同已经进入履约阶段，标志着科友半导体已率先在8英寸SiC衬底方面实现出货和突围，为加快我国碳化硅衬底产能投资向效益的转变、国产碳化率衬底抢占行业先机、角力欧洲实现作为。

自产8英寸碳化硅衬底顺利下线

2023年，科友半导体突破了大尺寸碳化硅单晶生长及衬底加工等关键技术，成为行业内屈指可数的独立掌握8英寸碳化硅晶体生长及衬底加工能力的企业，衬底质量和成本优势显著，率先实现了8英寸衬底规模化量产。

凭借一连串喜人成绩与成果，科友半导体已成为中国碳化硅行业的标杆品牌。

行家说三代半：取得这些成绩的背后，贵公司做了哪些关键工作？

赵丽丽：刚过去不久的2023年，是科友半导体的元年，也是发力年，我们正式面向行业亮出多张碳化硅底牌：

6-8英寸碳化硅产能建设

我们已经形成以6-8英寸碳化硅衬底为核心，以定制籽晶、料锭、晶棒、镀膜胶等为辅的碳化硅材料系列产品。

在2023年3月，科友半导体在哈尔滨打造的产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区正式投产，铺设年产能5万片碳化硅衬底加工产线并顺利通线，稳步扩充电阻长晶炉台数，建成8英寸碳化硅衬底中试线，并成功实现我国首批8英寸SiC衬底量产和出货签约。

掌握全产业链装备和耗材研发和规模制造能力

我们还建成了以6-8英寸感应和电阻长晶炉为核心产品线，以原料提纯、碳化钽蒸镀、籽晶镀膜等设备为基础线的装备系列，装备产能达到400台每年。

掌握“国内领先、国际先进”的大尺寸碳化硅低成本产业化技术

我们突破了大尺寸碳化硅晶体易开裂、缺陷控制难、良率低、成本高等共性技术难题，实现了热场设计、原料提纯、碳化钽蒸镀、籽晶镀膜及压接晶体生长、晶体退火等关键环节的先进工艺开发，实现了高良率、大尺寸、高品质、高厚度晶体生长。6英寸碳化硅长晶良率达到70%，8英寸碳化硅长晶良率达到50%，衬底综合成本较业内低30-40%以上。

中国电子学会组织的成果鉴定会认为，科友碳化硅装备及工艺成果“创新性强，拥有自主知识产权，经济效益显著，关键技术指标国内领先、国际先进”。

产线完成车规认证

2023年我们还完成了IATF16949、ISO14001/45001/9001等体系认证。

开展装备与材料并行的双主营业务

通过供应关键耗材的方式，实现材料系列产品（包括籽晶、料锭、石墨坩埚等）稳定销售，同时也与设备客户合作，销售其生产的材料产品，进一步满足市场需求。

总的来说，科友半导体能在碳化硅各类赛道脱影而出的秘诀在于——格局总能比行业领先一步，甚至是一代。

SiC行业下半场是8吋时代 

科友提前布局、持续推进

行家说三代半：您如何看待8英寸SiC衬底的发展？

赵丽丽：2023年业内有多家企业陆续推出8英寸碳化硅衬底，成为市场热点，呈现出加速替代6英寸衬底的势头。我们认为，碳化硅行业的下半场就是8英寸的时代，谁的8英寸衬底先出货，谁就能更好地把握住时代机遇。

在此形势下，面对这个爆发性增长的市场机遇和产业差距，国产厂商谁可以真正实现8寸SiC衬底的量产并通过市场验证，才能真正掌握时代拐点的正确方向，这是科友半导体已提前布局并持续推进的战略蓝图。

行家说三代半：贵公司围绕8英寸SiC还做了哪些核心技术布局？

赵丽丽：科友半导体的8英寸SiC核心技术布局体现在多个方面，包括：

（1）作为电阻炉量产大尺寸碳化硅的倡导者，前瞻性开展电阻加热式长晶炉设备及工艺开发，面向大尺寸低成本碳化硅衬底制备的发展方向，在8英寸电阻加热碳化硅长晶炉方面超前布局，报道了国内第一颗基于电阻炉的8英寸碳化硅晶体，晶体质量居业内第一梯队。

（2）加快推进8英寸衬底产业化进程，在国内率先建成8英寸碳化硅晶体中试线和碳化硅衬底中试线，实现小规模量产。

（3）在业内率先提出碳化硅材料一站式解决方案，打造全产业链装备和材料研发制造能力，在热场设计、原料提纯、碳化钽蒸镀、籽晶镀膜及压接工艺晶体生长方面持续研发，形成独具特色的科友系列装备产品和材料产品。

立足关键技术，增加35万片产能 

解决碳化硅2大挑战

行家说三代半：未来几年，整个行业将面临的挑战有哪些？贵公司将如何面对并解决挑战？

赵丽丽：我们认为碳化硅衬底行业主要将面临2方面挑战：

（1）8英寸衬底良率提升。

行业对8英寸碳化硅衬底的良率的要求越来越高，相比于6英寸衬底，8英寸衬底良率仍处于较低水平，8英寸衬底的规模应用要求足够高的衬底良率和晶体生长工艺。

科友将持续开展晶体生长良率提升研究，发挥电阻炉优势，在晶体厚度、良率、品质上持续改进，优化衬底加工工艺，提高核心竞争力。

（2）衬底价格持续降低。

行业对产品价格降低有着明确的需求，衬底成本的降低离不开关键耗材成本的降低，需要不断提升原料利用率，以及耗材使用寿命，从而降低衬底成本。

科友将立足8英寸衬底低成本量产关键技术，依靠原料提纯、碳化钽蒸镀、籽晶镀膜以及压接晶体生长等独家工艺，不断提升价格上的优势，保持领先地位。

行家说三代半：2024年，贵司定下来了哪些规划和目标？

赵丽丽：我们在2024年主要有5个方面的规划：

（1）推进8英寸碳化硅衬底量产。

（2）推进8英寸碳化硅衬底下游验证，与更多下游客户签订衬底供应长单。

（3）加快二期扩产建设，扩充衬底产能达到年产35万片。

（4）推动科友碳化硅系列装备及材料在行业内的广泛应用，深入打造碳化硅材料行业的一站式供应商，与设备客户合作共赢扩充科友系衬底产能。

（5）加快市场推广，实现订单额快速提升。

衬底、设备、耗材多维度降本

追赶SiC国际一流企业 

行家说三代半：成本是把双刃剑，行业规模化发展需要接近硅器件的低成本，但也要防止被低价所反噬， 您如何看待行业的低价和同质化竞争？

赵丽丽：成本持续下降是新产品规模应用的前提条件，是碳化硅半导体产业链加速渗透和快速增长的关键，有利于带动整个行业的快速发展，扩大应用领域和市场空间，推动绿色经济发展和双碳目标实现。

低成本的趋势虽然会对行业内企业会带来一定冲击和压力，但是会倒逼行业上下游企业共同努力，有利于企业加强技术研发创新，不断提高技术水平，从而推动形成新的技术、新的工艺、新的装备，利于有竞争力的企业长远发展。

更长远上看，我国拥有超大规模单一市场优势，在碳化硅半导体方面需求巨大，预计我国将成为碳化硅半导体的应用和制造中心，低成本使我国半导体企业，有望实现与国际一流水平企业，从追赶到并跑再到超越的目标。

科友在低成本碳化硅衬底制备方面掌握核心关键技术，衬底成本较行业低40%以上，具有明显价格优势，在8英寸碳化硅方面，电阻炉稳定性高、晶体一致性好、晶体应力小等优势，与科友大尺寸碳化硅低成本产业化关键技术相结合，在大尺寸碳化硅衬底赛道上将获得更为突出的成本优势。

行家说三代半：针对目前的行业现状，贵公司有哪些好的做法和建议？

赵丽丽：针对目前的行业现状，我们认为应加强自主研发和技术创新，技术水平是影响产品成本的重要因素，科友突破了大尺寸碳化硅低成本产业化技术，掌握了大尺寸热场威廉希尔官方网站 ，同时还研发了相配套的独特的晶体生长热场耗材，碳化钽蒸镀石墨件、预结晶提纯料锭、镀膜籽晶等。例如，科友感应设备石墨耗材寿命比业内多3倍，实现了坩埚等关键耗材的多次重复使用，相比于坩埚寿命为业内2次左右，而科友达到6-8次以上。

通过开展前瞻性研发，科友成为国内第一家同时拥有8英寸感应炉和8英寸电阻炉的企业，实现了耗材联动使用，将感应设备使用后的耗材应用到电阻设备中，可再次重复使用20次以上，成本大幅降低，部分耗材成本是其他企业的1/15。在碳化钽蒸镀、石墨提纯等多项技术的支撑下，科友基本实现了全部耗材国产化，相比于进口材料，成本下降一半以上。衬底综合成本降低40%以上。

建议碳化硅企业在成本方面多做工作，加强技术研发，主动适应行业内产品价格不断下降的发展趋势，最大程度提高企业效益。需要指出，晶体生长热场需要和晶体生长工艺相匹配，而晶体生长工艺的调节和优化需要长期的长晶经验积累，也是主要的技术壁垒。这些特点也需要新入场的碳化硅企业重视。

审核编辑：黄飞