测量新闻
中国北京2019年7月3日 – 在刚刚过去的PCIM Aisa展会上,泰克展示了功率器件全新测试方案,包括动态特性解决方案、静态特性解决方案、系统调试解决方案,整体解决方案助力工程师系统级优化设计。
当今功率半导体器件测试面临相当大的挑战,尤其是使用如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的先进材料制成的器件,通常这些新型器件的测试要求更高的电压和功率水平,更快的开关时间以及从晶圆级到封装器件的完整测试。高效率低功耗的功率器件对马达控制威廉希尔官方网站 和开关式电源等应用必不可少,对处理高功率和高电压/高电流也不可或缺。作为新型功率器件材料,GaN和SiC迅速引起人们的关注,与硅相比,GaN 和SiC 拥有大量的优势,包括:
·宽禁带,高电介质击穿电压,高工作温度
·高压功能,低导通电阻w
·芯片尺寸更小
·能够在高速度、高频率下工作
然而,传统差分探头不足以覆盖新的宽禁带半导体的特性范围的要求,新型功率器件测试存在诸多难点
·你是否能准确测试高侧门极威廉希尔官方网站 ?
·你会用实际测试来验证仿真结果吗?
·在测试中共模电压会导致哪些测试问题?
·你是否会用低侧试数据来推断高侧测试结果?
·你是否能够优化你的设计以达到最大的效率呢?
·在高侧电阻测试是否遇到障碍?
泰克推出了IGBT Town功率器件动态参数测试,可支持单脉冲、双脉冲及多脉冲测试方案,集成强大的发生装置,数据测试装置及软件。用户可以自定义测试条件,测试项目包含:Ton, Toff, td(on),td(off), tf(Ic), Eon, Eoff, tr(Ic) ,di/dt, dv/dt, Err, qrr, Irr 基于 IEC60747。
1)测试系统组成:
2)测试软件:
吉时利高功率参数曲线跟踪仪配置支持全系列器件类型和测试参数,包括特性分析工程师迅速开发完整的测试系统所需的一切。
开态测试
·从 fA 到 100A
·支持脉冲测试减少自热效应
·4线测试测量更低的导通电阻RdsOn
关态测试
·从mV到3kV,1fA电流分辨率
·过压保护模块确保低功率设备安全
CV(电容-电压)测试
·支持3KV CV测试功能
·自动计算Ciss, Coss, Crss等典型参数
当今一些电源电子拓扑中包含的超快功率半导体开关技术(如SiC或GaN)极难进行优化。SiC MOSFET和GaN FET开关电源转换器分析包是市场上唯一能够准确检定所有关键参数(用于优化采用SiC和GaN等技术的电源电子拓扑)的解决方案,其中包括:
·高端和低端上的栅极电荷和栅极驱动性能
·停滞时间优化,其中包括精确开机、关机和栅极驱动定时
·高端和低端开关上的 VGS、VDS 和 ID 测量
·开关损耗、传导损耗和磁损耗分析
泰克为您提供整体解决方案,助您系统级优化设计。泰克测试方案:
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