半导体新闻
动态随机存取存储器(DRAM)第四季价格持续下跌,存储器封测厂受到客户要求降价,近期已同意本季调降调降封测售价5%到10%,将冲击本季毛利表现。
据了解,由于DRAM价格第三季惨跌,当时存储器厂已提出要存储器封测厂降价的要求,不过遭到存储器封测厂以各项材料成本上扬,希望能延后降价时机。
据了解,目前DRAM封测比重愈高的存储器封测厂,降幅较为明显,包括华东(8110)、福懋科;力成因在第三季提高储存型快闪存储器(NAND Flash)比重,相对受到冲击可能较轻些。
至于逻辑芯片的封测价格,矽品董事长林文伯曾透露第四季确实会有降价压力,但他拒绝透露降幅。
在南科、华亚科、力晶等主要DRAM厂公布第三季季报大亏后,本季DRAM价格持续下滑,加上存储器封测厂第三季普遍维持获利,封测业者本季再度来自存储器厂要求降价的压力,忍痛接受本季降幅5%%到10%。
存储器封测厂表示,降幅主要视产品项目,例如行动式存储器(Mobile DRAM),因封装和测试难度较高,业者能接受降价相对较小,约在5%;成熟产品如标准型DRAM,因市售价跌幅较深,本季封测跌幅估在一成左右。
存储器封测厂坦承,调降封测价格本季对毛利率冲击不轻,尤其目前国际金价持续飙高,加上尔必达、南科等DRAM厂不愿DRAM赔钱卖,本季扩大减产幅度,将让存储器封测厂本季产能利率用下修,存储器封测厂本季受内外夹击,获利再受挤压。
存储器封测厂强调,业者本季调降DRAM封测价格,主要希望能与DRAM厂共体时艰,否则第四季个人计算机用DRAM或手机用的Mobile DRAM,均已过圣诞节的备货旺季,需求转弱,降价也无法吸引太大的订单挹注。
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