三星Exynos 8895参数曝光 10nm制程欲与高通争高低

电子发烧友早八点讯：集微网消息，继高通新一代骁龙系列旗舰芯片 Snapdragon 835（MSM8998）正式公布之后，有关三星 Exynos 8895 芯片的参数信息在网络上公开。正如行业预期，为了对标高通骁龙 835，Exynos 8895 采用自家最新的 10 纳米 FinFET 工艺打造，只是与之前 Exynos 芯片不同的是，Exynos 8895 分为了两个版本，Exynos 8895V 和 Exynos 8895M。

据网络上公开的芯片参数显示，Exynos 8895 采用 10nm 工艺八核心设计，由三星自主研发的四颗猫鼬 M2 核心+四颗 A53 核心组成，GPU 还是 G71（主频达到 550MHz），拥有 18/20 个 GPU 内核单元，相比今年的 Mali-T880 GPU 将可提供高达 80％ 以上的性能提升，并进一步增强对 4K 内容和显示屏的支持，支持 4 通道 LPDDR4x 和 UFS 2.1 储存，基带提升到 LTE Cat.16，不过目前依然不支持 CDMA，具体将在明年年第三季度可搭配 S359，实现“全网通“基带以便于适用于多个国家和地区。

在 M2 定制的 CPU 内核方面，有消息透露称，正式版 Exynos 8895 的 CPU 频率也许将飙升到 3GHz，因采用 10 纳米工艺制程，最大功耗仅为 5 瓦。另外，两款 Exynos 8895 的主要区别在于主频和 GPU 图形处理单元部分，其中，Exynos 8895M 是高端版本 ，M2 内核主频 2.5GHz，Cortex-A53 小内核为 1.7GHz，GPU 为 Mali G71 MP20。而 Exynos 8895V 的 M2 大内核主频缩减到了 2.3GHz，GPU 也换成了 Mali G71 MP18。

可以预计的是，三星 Exynos 8895 处理器芯片将在明年第一季度开始量产，手机终端在明年第二季度上市，全网通版本将在第三季度根据实际情况揭晓。至于三星的旗舰机型 Galaxy S8 什么时候正式公布，相信明年上半年会有消息。

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