联电挑战台积电 14nm芯片量产吸引客户订单

***两大代工厂台积电和联电多年相争，据IC Insights在2016年8月份公布的数据显示其占全球半导体代工市场份额的58%，高居榜首，而联电已滑落至全球第三。中国大陆最大的半导体代工厂中芯国际已向联电发起挑战，希望在2020年前后赶超联电！

联电在先进制程的追赶上，也不甘示弱。据***媒体Digtimes最新消息，台积电透露5nm将在2019年试产之际，联电2月23日也宣布，自主研发的14nm鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段，良率已达先进制程的业界竞争水平，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。

联电CEO颜博文

联电CEO颜博文表示，这次达成14nm量产的里程碑，象征联电成功携手客户，将先进技术导入市场，同时与其他客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥14纳米FinFET在效能、功耗和闸密度所具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。

联电14纳米 FinFET制程效能竞争力已达业界领先标准，速度较28nm增快55％，闸密度则达两倍，此外，功耗亦较28奈米减少约50％。 此14nm客户芯片现正于联华电子台南的Fab 12A晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其14nm产能。

中芯追赶的步伐也在加快。中芯国际去年下半年量产28nmHKMG，明年将投产14nmFinFET，这意味着其工艺制程到明年将赶上联电，当然领先于后者的厦门工厂。联电计划争夺大陆市场的业务来赢得发展机会的计划基本失败，其在中国大陆市场的工艺制程竞赛中已落后于台积电和中芯国际。

联电宣布自主研发的14奈米鳍式场效晶体管（FinFET）制程技术， 也宣告联电已决定将厦门联芯的晶圆制程推进到28nm量产，抢食在大陆制造最大一块的手机和网通芯片代工商机。

颜博文强调，14纳米FinFET制程效能竞争力已达业界标准，速度比28 nm增快55%，闸密度达两倍，而且芯片功耗也较28nm减少约50%。

因联电28nm制程良率相当稳定，也是目前市场中端手机芯片和高端网络芯片需求最迫切的制程，预料联电将会把重心集中冲刺联芯将制程推升至28nm，挟大陆制造，挤下强敌中芯，在28nm拉升市占，让联电抢食大陆快速崛起的芯片大饼，打通任督二脉。

联电目前与和舰共持有联芯50%股权，联芯去年11月开幕，导入联电的55奈米及40奈米制程技术生产。