缓冲/存储技术
华为的这次事件也让国人注意到了闪存原来对于国产手机是很重要的。的确,智能手机的存储芯片(ROM)源于NAND闪存,这就意味着闪存芯片是智能手机的核心器件之一,这也成了手机差异竞争的一个方面。但现在国内闪存行业到底是个怎样的情况?
2014年底,Intel联合镁光发布了3D NAND闪存结构。这种平地起高楼的办法瞬间解决了之前闪存的缺点。而且为将来的闪存容量拓展,留下了很高的空间,也就是从这个技术开始,手机存储开始有了128G、256G等等。也就是说,从3D NAND技术开始,闪存芯片的速度,已经趋向于统一,不同品牌之间最大的区别就是产能和容量了。最重要的是,现在由固态硬盘(SSD)转向3D NAND闪存发展已经是芯片市场大势。
的确,半导体存储器芯片行业是一个高技术壁垒,高资金壁垒,高度垄断的“三高”行业,是一个难以啃下的硬骨头。但3D NAND作为一种创新的半导体存储技术,在大数据需求快速增长的时代下,存储器芯片尤其是3D NAND已成为电子信息领域最重要的集成威廉希尔官方网站 产品,市场空间极其巨大。
这块肥肉也让苹果垂诞不已。据悉,苹果正打算与“好基友”富士康共同投资进而掌握东芝的闪存芯片业务。东芝是闪存芯片技术的发明者,而且其是目前全球第二大闪存芯片供应商。2015 年推出了世界上第一个 256 GB 的 48 层 BiCS 3D 闪存,并在去年用在 iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 内部。如果苹果得手,其将进一步补齐产业链,降低成本,使得苹果手机的竞争力直线飙升。
目前闪存市场的垄断情况较为严重,全球NAND闪存芯片市场至今是被韩国三星、韩国海力士、美国美光、美国英特尔和东芝等少数科技企业垄断,连技术都掌握在这几家巨头手里。无论是谁争夺到东芝闪存业务,未来的收益是可期的。所以,在东芝要出售闪存业务时也有国内企业要竞购,但东芝为防止技术泄露,拒绝中国公司竞价。
NAND闪存芯片在全球市场中的重要性毋庸再说。事实上,一年下来,全球大约一半的存储芯片产能是被中国消耗的。实际上,自2014年率先宣布量产 3D 闪存芯片到目前为止,在3D NAND领域,三星已经成为全球第一大闪存芯片供应商。而且,三星量产了48层产品的同时,正开足马力像64层和90层产品飞奔。换而言之,在3D NAND生产方面,实力最强的仍以韩国三星领先,东芝、闪迪与SK海力士其次,国内还是很虚弱。一直在前进着,所以留给国内厂商的时间很紧迫了。
国产3D闪存一直在奋力追赶竞争者。而且,这些年国家已经开始大举发展国产芯片,闪存芯片也在其列。
据悉,紫光集团旗下的长江存储技术公司目前正在规划开发自己的 DRAM 存储器制造技术,而且可能直接进入当今世界最先进的 20/18 纳米的制程中。预计,长江存储计划在 2017 年底开始对客户提供 32 层堆叠 3D NAND Flash 快闪存储器的样品,然后继续往开发 64 层堆叠 3D NAND Flash 的产品迈进。更值得注意的是,2016 年 3 月,长江存储就已启动了武汉存储器基地建设,总投资 240 亿美元 ,预计 2018 年正式投产,而到了 2020 年时达成月产能 30 万片的规模。
中国做存储是必然的,但道路也是坎坷崎岖的。所有一切都是从零开始。因此,小编在这里也先预祝长江存储能把闪存给搞起来,也期待更多的国产企业投身闪存行业。
智能手机所使用的闪存对整个手机的使用体验有很大的影响,就是说,闪存对国产机来讲是非常重要的元件。但是有个残酷的事实:然而当前闪存格局单一,闪存产品供应链掌握在别人手上。因此,发展国产闪存芯片势必要进行到底。
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