台积电计划于2012年Q3开始试产22nm HP制程芯片

台积电计划于2012年Q3开始试产22nm HP制程芯片

　据台积电公司负责开发的高级副总裁蒋尚义透露，他们计划于2012年第三季度开始试产22nm HP(高性能)制程的芯片产品，并将于2013年第一季度开始试产22nm LP(低功耗)制程的芯片产品。蒋尚义是在日前于日本横滨召开的一次半导体产业william hill官网 会议上透露这些信息的。

　　会上蒋尚义还透露了台积电28nm制程推进计划的细节，据他表示，台积电将于今年6月底前开始试产28nm低功耗制程(LP)产品，基于这种制程产品将采用SiON+多晶硅材料制作管子的栅极绝缘层和栅极;随后的9月份台积电计划启动首款基于HKMG栅极结构的28nm制程--28HP的试产;最后，今年12月份晚些时候他们会开始第二款基于HKMG栅极结构的28nm制程(28HPL)的试产。

　　另外，蒋尚义还表示目前台积电已经从Altera，富士通，高通以及信力公司那里接到了28nm芯片的代工订单。

　　至于40nm制程部分，台积电表示其生产的40nm制程产品在市场上的份额已经达到80%强。尽管去年中期曾出现过良率不佳的问题，但经过两个季度的改进和完善之后，其40nm制程工艺的缺陷密度(Defect Density：一种质量特征，用每层和每平方厘米晶片上的缺陷数表示。)已经由原来的0.3-0.4降至0.1-.0.3左右。

　　台积电的销售所得分布方面，蒋尚义表示，到今年年底，台积电的40nm制程业务方面所得的营收额将占到公司总营收额的20%左右，而去年年底这个比例则只有4%左右。

　　目前台积电40nm制程芯片的季度产能约为8万片12英寸晶圆，蒋尚义并表示到今年年底，有关的产能将实现倍增。目前台积电只有Fab12一间工厂能够制作40nm制程芯片，不过台积电计划让Fab14工厂也具备40nm制程芯片的制造能力，以满足增加40nm芯片产能的需要。