EDA/IC设计
5v | 3.3v | 3.3v | 2.5v | 宏单元 | 备注 |
EPM7032S | EPM7032AE | EPM3032A | EPM7032B | 32 | |
EPM7064S | EPM7064AE | EPM3064A | EPM7064B | 64 | |
EPM7128S | EPM7128AE | EPM3128A | EPM7128B | 128 | |
EPM7256S | EPM7256AE | EPM3256A | EPM7256B | 256 |
2.5v | 2.5v | 逻辑单元(LE)数量 | 嵌入式RAM块 | 备注 |
EP1K10 | 576 | 3 | 每个RAM块容量为4Kbit | |
EPF10K30E | EP1K30 | 1728 | 6 | |
EPF10K50E | EP1K50 | 2880 | 10 | |
EPF10K100E | EP1K100 | 4992 | 12 |
5v | 3.3v | 逻辑单元(LE)数量 | 备注 |
EPF6010A | 880 | ||
EPF6016 | EPF6016A | 1320 | |
EPF6024 | EPF6024A | 1960 |
2.5v | 1.8v | 逻辑单元(LE)数量 | 嵌入式RAM块 | 备注 |
EP20K60E | 2560 | 16 | 每个RAM块容量为4Kbit | |
EP20K100 | EP20K100E | 4160 | 26 | |
EP20K200 | EP20K200E | 8320 | 52 | |
EP20K300E | 11520 | 72 | ||
EP20K400 | EP20K400E | 16640 | 104 | |
EP20K600E | 24320 | 152 | ||
EP20K100E | 38400 | 160 | ||
EP20K1500E | 51840 | 216 |
1.5v | 逻辑单元(LE)数量 | 嵌入式RAM块数量 | 备注 |
EP2A15 | 16640 | 104 | 每个RAM块容量为4Kbit |
EP2A25 | 24320 | 623 | |
EP2A40 | 38400 | 655 | |
EP2A70 | 67200 | 1147 | |
EP2A90 | 89280 | 1524 |
1.5v | 逻辑单元(LE)数量 | CDR通道数 | 嵌入式RAM块数量 | 备注 |
EP1M120 | 4800 | 8 | 12 | 每个RAM块容量为4Kbit |
EP1M350 | 14400 | 18 | 28 | |
配置EEPROM 用于配置SRAM工艺FPGA的EEPROM
型号 | 容量 | 适用型号(详细内容请参阅数据手册) | 电压 | 常用封装 |
EPC1441 (不可擦写) | 441 Kbits | 6K,10K10-10K30,1K10 | 3.3/5v 自动选择(可在软件中设定) | 8 脚 DIP |
EPC1 (不可擦写) | 1M bits | 10K30E/1K30,10K/1K50,更大芯片要多片级连 | 3.3/5v 自动选择(可在软件中设定) | 8 脚 DIP |
EPC2 (可重复擦写) | 2M bits | 10K/1K/20K100以下,更大芯片要多片级连 | 3.3/5v 管脚控制(请查阅数据手册) | 20 脚 PLCC |
EPC8 (可重复擦写) | 8M bits | TQFP | ||
EPC16(可重复擦写) | 16M bits | 88 脚 BGA |
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