iNAND MC EU521嵌入式通用闪存 增强了5G智能手机用户体验

西部数据借助其嵌入式通用闪存（UFS）设备iNAND MC EU521，为移动开发人员提供了增强5G智能手机用户体验的能力。

该公司是JEDEC在UFS 3.1标准下实施Write Booster 的早期支持者，是业内首家提供针对UFS 3.1 5G应用和功能进行优化的商业存储解决方案的公司之一。

iNAND MC EU521嵌入式闪存设备使移动开发人员可以利用UFS 3.1高接口带宽（Gear 4/2 Lanes）以及SLC NAND缓存。它还提供高达800MB / s （*）的 Turbo顺序写入速度，以更好地为应用程序提供增强的用户体验，例如下载4K和8K媒体，从云中进行大文件传输以及游戏。iNAND EU521将于2020年3月以128GB （**）和256GB容量提供。

“ 智能手机现在需要更多的性能和容量，因为它们通常用作从流视频，播放音乐，游戏和摄影到支付和地图绘制等一切事物的主要计算设备， ”汽车，移动和新兴业务高级副总裁兼总经理Huibert Verhoeven说道。单位，WD。“ 使用Write Booster的iNAND EU521中的SLC缓存为用户提供了几项关键的性能改进，与5G结合使用时，有望带来比以往更快的电影下载。该功能以及其他功能使得EU521对于当今的移动设备制造商而言是一个不错的选择。“

Craig Stice表示：“ Western Digital对新JEDEC存储标准UFS 3.1的实施为5G应用程序提供了额外的写入功能，并且改进的缓存功能将帮助智能手机实现更快的下载速度，加速大文件的“保存”并支持其他数据密集型应用程序。是全球技术研究领导者Omdia的存储和存储高级总监，是Informa Tech（Ovum，Heavy Reading和Tractica）的研究品牌与收购的IHS Markit技术合并后成立的。“ Western Digital的努力，以满足标准的快速旨在让移动设备设备制造商成熟的解决方案可供选择。”