存储技术
DRAM大厂陆续洽谈第3季DRAM合约价格,维持小涨局面,推升全球本季DRAM产值将再改写新高,台系DRAM南亚科(2408)和华邦电等,预料今年将缴出逐季创新高佳绩。
集邦旗下存储器储存研究(DRAMeXchange)昨(2)日出具报告指出,受惠第3季传统旺季需求来临、加上通路商增加库存,即便供给位元逐季增加,预料本季DRAM平均销售单价仍可望小幅上扬。
DRAMeXchange预估,第3季供货位元增幅可达4.8%,但因旺季需求支撑,DRAM价格仍持续小幅上扬,带动第3季DRAM总产值续创新高。
DRAMeXchange预估,第3季DRAM价格涨幅,主要由服务器存储器与移动式存储器带动。服务器存储器需求比第2季稳健提升,出货给一线厂的主流服务器模组价格仍有1%至2%上涨空间。但供货率自今年年初起一路提升,价格涨势已趋缓,且第3季服务器存储器在一线厂与二线厂的报价区间将趋持平。
移动式存储器部分,主要由非苹高端手机提升低功耗LPDDR4 DRAM搭载量采用量,支撑价格。近期推出的高端手机已将DRAM容量提升至6GB甚至是8GB,使LPDDR4系列不论是在分离式元件或者是eMCP的应用都吃紧。预期本季整体移动式存储器价格在高端机种带动下,涨幅可维持在1%至2%。
值得注意的是,绘图用存储器与利基型存储器受到虚拟货币需求骤减影响,原先预估的涨幅可能完全消失。尤其绘图用存储器经历上半年价格飙涨,预估下半年价格将下跌。
集邦预估,今年DRAM整体而言维持稳健局面,不过,价格涨幅愈来愈小,第4季很可能持平。近期不少外资机构认为,DRAM产业已进入高原期,预料随产出增加及国际变数干扰,引发价格反转的风险也增加。
南亚科昨天下跌2.2元、以81元作收,跌幅2.6%;华邦电同步收黑,以19.1元作收,跌幅逾2%。
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