2019年闪存支出将是第三年超过250亿美元

周青 2019-01-14 797

存储技术

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IC Insight在其将要推出的最新报告中对半导体资本支出进行了深入分析。该报告预计半导体行业将在2019年再次将其资本支出的最大部分分配给闪存，这是闪存连续第三年引领所有其他部门的支出。

2016年，闪存在资本方面落后于制造行业，但在2017年大幅增长，增长92%，至276亿美元，2018年又增长16%，至319亿美元，因为制造商扩大和升级了3D NAND生产线，以满足日益增长的需求。随着大部分扩张已经完成或预计将于2019年结束，预计闪光资本支出今年将下降18%，至260亿美元，这仍然是一个非常健康的支出水平。

图：闪存连续第三年引领所有其他部门的支出

• 2018年，SK Hynix完成并在韩国清州开设了M15新晶片工厂。工厂生产的第一批设备是72层3D NAND闪存。

• 美光公司拨出大量资源升级其在新加坡现有的两座闪存工厂，并在那里建造了第三座NAND晶圆厂。

• 东芝存储公司(Toshiba Memory)在18年上半年完成了一座新的300毫米晶圆厂(Fab 6)的建造。该设施第一阶段的运作预计将于2019年年初开始。此外，东芝宣布，Fab 6之后的下一个闪存工厂将位于岩手岛上，于2018年7月破土动工。

• 清华紫光拥有的XMC/长江存储(YMTC)完成了新厂房的建设，安装了设备，并开始了32层3D NAND闪存的小批量生产。

• 三星和其他所有的闪存供应商都很清楚，中国必须成为3D NAND闪存市场的参与者。三星将继续大举投资，以保持远远领先于现有的竞争对手或新的初创企业，并保持其竞争优势，以对抗任何认为他们可以争夺市场份额的人。三星在2017年的闪存资本支出为130亿美元，2018年为90亿美元，占去年319亿美元闪存资本支出总额的28%。IC Insight估计，三星在2019年还将斥资70亿美元购买闪存资本。

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