忆芯科技发布又一款NVMe SSD主控 顺序读取速度达到了3.6 GB/秒

存储技术

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继2017年底重磅发布了首款面向高端消费级和入门企业级固态存储(SSD)市场的NVMe SSD主控STAR1000后,近日北京忆芯科技有限公司(简称“忆芯”)在上海安莎国际会议中心再次重磅发布了又一款NVMe SSD主控——STAR1000P。

忆芯科技CEO沈飞

据忆芯科技CEO沈飞介绍,“STAR1000P正是研发始于2017年10月9日,其中包含了40名硬件工程师,经过286个日夜,提交310万行设计验证代码,解决了552个JIRA和66项专利。终于在2018年7月16日正式流片,并于2019年1月22日发布,将会在今年4月份完成量产版本。”

从性能上来看,忆芯科技STAR1000P的顺序读取速度达到3.6 GB/秒,顺序写入速度达到3.2GB/秒,比上一代主控STAR1000的顺序读写速度最高提升50%。同时,STAR1000P的随机读写速度达到每秒750K IOPS(读)/600K IOPS(写),比STAR1000高出120%。STAR1000P支持PCIe Gen3x4、支持NVMe 1.3协议、8个flash通道,支持最高32 TB容量的存储。其设计采用新思DesignWare® ARC HS38处理器多核结构,利用ARC可扩展架构与自定义指令集,提高硬件调度效率。

值得一提的是,在发布会现场,据Synopsys工程部门副总裁 Yankin Tanurhan博士介绍,忆芯是首个将Synopsys ARC处理器引入存储领域的公司,而基于ARC处理器架构,使其能够快速的设计迭代了新一代的芯片产品。

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