NAND Flash 和DRAM的价格将持续下滑 下半年有待改善局面

集邦科技记忆体储存研究（DRAMeXchange）表示，今年第一季除了受到传统淡季因素影响外，智能手机及伺服器OEM厂从去年第四季便因需求疲弱而开始调节库存，进一步使得各项产品的位元出货量表现均呈现衰退，导致整体NAND Flash的合约价跌幅来到去年第一季以来最剧烈的一季。而第一季NAND Flash品牌厂营收季减约23.8％。

根据集邦资料，今年第一季eMMC/UFS（嵌入式储存）、Client SSD（消费性固态硬盘）、Enterprise SSD（企业用固态硬盘）合约价分别下跌15～20％、17～31％ 、及26～32％，而在TLC规格NAND晶圆产品合约价跌幅虽有收敛，但季度跌幅仍达19～28％。展望第二季表现，尽管包含智能手机、笔记型电脑、伺服器在内的主要需求都将有所回升，但仍不足以消弭库存压力，供应商在库存压力未除前，无法遏止合约价走跌态势。

三星电子第一季仍能保持5％左右的位元成长，这主要来自第一季在高容量UFS销售量高于原先预期，以及在高容量Client SSD的出货比重有较佳表现。此外，三星第一季加大在NAND晶圆市场销售力道，虽然让位元出货增长，但也加深平均销售单价跌幅来到25％左右，第一季NAND Flash相关营收来到32.292亿美元，较上季衰退25.0％。

东芝记忆体同样受到传统淡季冲击，加上苹果在内的智能手机客户仍处库存调整周期，出货表现疲弱，纵使有模组厂帮助出货力道，其位元出货量仍较上季有所衰退，而受各类产品价格跳水影响，平均销售单价则呈现约20％的季跌幅，整体营收约达21.8亿美元，较上季下滑20.2％。

美光科技尽管受到传统淡季与客户盘整需求影响，财务表现相较其他供应商表现杰出，整体营收仅季衰退18.5％达到17.760亿美元，除了财报期间的差异以外，藉由先前在SATA介面Enterprise SSD的成功，美光得以推动客户逐步导入采用64层3D NAND的PCIe SSD产品，在96层产品方面则已推出Client SSD产品供予PC OEM客户，有助其降低NAND晶圆方面销售比重，第一季平均销售单价表现方面衰退近25％，位元销售仍成长8～10％。

专家：DRAM价格也将继续看跌

受美中贸易战、英特尔中央处理器（CPU）缺货、供应链调整，及主要大厂持续消化库存等四大因素干扰，南亚科昨（30）日下修全球DRAM和公司内部今年位元成长预估，并认为本季市况不是很好，价格看跌。第3季能否止跌，「目前仍很难判断」。

南亚科表示，受到多重干扰的影响，全球DRAM位元年增幅由原估年增20%砍至15%，南亚科年增幅由原估15%降至仅个位数百分比。

南亚科董事长吴嘉昭表示，DRAM价格从去年第4季到今年第1季一路走跌，第2季价格还会再下跌，状况不是很好，希望第3季电子业旺季能好起来。

南亚科仍看好DRAM长期发展呈现稳健成长，主因DRAM是所有电子产品关键零组件，由人工智慧（AI）及第五代行动通讯（5G）快速发展，DRAM会是各项智慧化应用必备。

南亚科总经理李培瑛进一步指出，第1季DRAM报价受到传统淡季、原厂库存水位升高、英特尔处理器缺货等因素影响，合约价跌幅超乎预期，本季现货价虽然持续下跌，但南亚科的合约价跌幅并没有现货大，且市况已比第1季好转。

至于第3季价格能否止跌，目前仍难看清楚，主要关键在于美中贸易战变数、主要大厂消化库存，以及市场旺季备货需求强弱。

他分析，从供需面来看，主要大厂近期公布的财报库存水位已经明显去化，而且各厂都朝向缩减资本支出，放缓增产脚步，加上第3季适逢各应用市场旺季来临，而且英特尔的10纳米支援高阶处理器、14纳米支援中低阶处理器下半年产能可到位，伺服器需求提升，下半年DRAM的需求将会比上半好，DRAM跌幅应会收敛。

他预估，第3季会比第2季好，以往南亚科下半年都会比上半年好，若美中贸易协商结果趋向正面，下半年市况备货需求就会比较强，南亚科上、下半年营收差距会比往年明显。