GaN功率电子器件的技术路线
目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑GaN衬底上制作垂直导通型器件的技术路线，另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。GaN基垂直和平面导通型器件的结构简图如图表2所示。
(a)垂直导通型GaNMOSFET
(b)平面导通型GaNMOSFET
图表2基于GaN自支撑衬底的垂直导通型MOSFET 和基于Si衬底的平面导通型GaNMOSFET的结构图
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原文标题：GaN（氮化镓）推动电源新解决方案
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