TTL电平与COMS电平的基础知识与对比详细资料概述

　　1.CMOS电平：

　　‘1’逻辑电平电压接近于电源电压，‘0’逻辑电平接近于0V。噪声容限很大

　　2.TTL电平：

　　输出高电平》2.4V，输出低电平《0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平》=2.0V，输入低电平《=0.8V，噪声容限是0.4V。

　　3.电平转换威廉希尔官方网站 ：

　　因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v《＝＝》cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。

　　功耗

　　TTL门威廉希尔官方网站 的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳（10-9）瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低），TTL和CMOS门威廉希尔官方网站 都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。

　　速度

　　通常以为TTL门的速度高于“CMOS门威廉希尔官方网站 。影响 TTL门威廉希尔官方网站 工作速度的主要因素是威廉希尔官方网站 内部管子的开关特性、威廉希尔官方网站 结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门威廉希尔官方网站 的情况不同，影响CMOS威廉希尔官方网站 工作速度的主要因素在于威廉希尔官方网站 的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。

　　5.COMS威廉希尔官方网站 的使用注意事项

　　1）COMS威廉希尔官方网站 时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。

　　2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。

　　3）当接长信号传输线时，在COMS威廉希尔官方网站 端接匹配电阻。

　　4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。

　　5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。

　　6.TTL门威廉希尔官方网站 中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：

　　1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。

　　2）在门威廉希尔官方网站 输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门威廉希尔官方网站 的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，

　　它输入来的低电平信号才能被门威廉希尔官方网站 识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。COMS门威廉希尔官方网站 就不用考虑这些了。

　　7.TTL和COMS威廉希尔官方网站 比较：

　　1）TTL威廉希尔官方网站 是电流控制器件，而coms威廉希尔官方网站 是电压控制器件。

　　2）TTL威廉希尔官方网站 的速度快，传输延迟时间短（5-10ns），但是功耗大。

　　COMS威廉希尔官方网站 的速度慢，传输延迟时间长（25-50ns），但功耗低。

　　COMS威廉希尔官方网站 本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。

　　3）COMS威廉希尔官方网站 的锁定效应：

　　COMS威廉希尔官方网站 由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。

　　防御措施：

　　1）在输入端和输出端加钳位威廉希尔官方网站 ，使输入和输出不超过不超过规定电压。

　　2）芯片的电源输入端加去耦威廉希尔官方网站 ，防止VDD端出现瞬间的高压。

　　3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。

　　4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS威廉希尔官方网站 得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS威廉希尔官方网站 的电源。