联电第4季产能利用率逾9成 并看好明年RF SOI的8英寸营收占比将达双位数

晶圆代工厂联电第4季受惠客户需求回温，产能利用率逾9成，法人估营收将季增1成，明年首季虽然适逢淡季，但受惠产能利用率持续提升，营收可望持平第4季，并看好明年RF SOI的8英寸营收占比将达双位数，整体8英寸晶圆代工产能利用率将持续拉升。

联电第4季营收成长主要动能，除本季完成收购的日本三重富士通半导体12英寸晶圆厂外，通讯与电脑市场领域新品布建及库存回补需求，也是动能之一，在5G手机射频芯片、OLED驱动芯片，及用于电脑周边和固态硬盘的电源管理芯片需求推升下，带动出货量成长。

联电估，第4季晶圆出货量成长10%，ASP则将持平，预估毛利率约14-16%，法人估第4季营收将季增约1成。而明年第1季受惠产能利用率持续拉升，加上28纳米及高毛利率的40纳米制程需求提升，预估第1季营收将持平第4季，毛利率可望回升至16.9%。

5G时代来临，而sub-6GHz 5G将与LTE共存，使RF零组件复杂度增加，法人看好，由于RF SOI（绝缘层上覆硅）特殊制程，在开关与调谐器整合上具备优势，可望带动RF SOI需求持续加温。

联电目前RF SOI在8英寸晶圆的营收占比约7-9%，法人预期，明年将进一步提升至10-15%，加上PMIC业务动能增温，看好明年联电8英寸业务将稳健成长，产能利用率也将持续拉升。

联电共同总经理简山杰日前也表示，目前8英寸产能利用率大多在9成以上至满载状态，5G需求今年下半年起加温，看好明年将有爆发性动能。
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