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(文章来源:驱动之家)
由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺,三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年,目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nm EUV工艺量产。在这之后,三星已经加快了新工艺的进度,日前6nm工艺也已经量产出货,今年还会完成3nm GAE工艺的开发。
在进入10nm节点之后,半导体工艺制造越来越困难,但需求还在不断提升,这就导致台积电、三星把不同的工艺改进下就推出新工艺了,而三星的6nm工艺实际上也就是7nm工艺的改进版,在7nm EUV基础上应用三星独特的Smart Scaling方案,可以大大缩小芯片面积,带来超低功耗。
消息人士透露,三星晶圆制造业务的高管已经确认6nm工艺的芯片出货量产,交付给北美的客户——虽然三星官方没有提及具体信息,但这个北美客户应该是高通公司,目前还不确定是哪款芯片。如果6nm成功量产,那三星手里现在进入真正量产阶段的工艺就有7nm EUV、6nm LPP两种了,可以更好地从台积电手中抢市场了。
在6nm之后,三星还希望今年推出5nm EUV工艺,台积电也是预定今年上半年量产5nm EUV工艺的,这样一来三星总算上追上台积电的工艺进度了,不过三星依然没有公布5nm的客户是谁。三星真正有希望超越台积电的工艺是3nm,他们是第一家官宣使用全新GAA晶体管的,在3nm节点将会用GAA环绕栅极晶体管取代FinFET晶体管,三星希望2021年量产3nm工艺,而今年上半年完成3nm工艺开发。
(责任编辑:fqj)
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